Das neue Produkt ermöglicht die automatisierte Montage und erzielt gleichzeitig eine mit herkömmlichen Durchsteckgehäusen (TO-247-4L) vergleichbare Wärmeableitungsleistung. Dies trägt zu höherer Effizienz und Zuverlässigkeit der Leistungswandlerschaltungen für On-Board-Ladegeräte (OBCs) und elektrische Kompressoren in Elektrofahrzeugen (xEVs) bei.
Bei Elektrofahrzeugen (xEVs) weitet sich der Einsatz von SiC-Bauelementen über Hauptwechselrichter hinaus auf Leistungswandlerschaltungen wie Bordcomputer und elektrische Kompressoren aus, um die Ladegeschwindigkeit zu erhöhen und die Reichweite zu vergrößern. SiC-Bauelemente finden auch zunehmend Verwendung in Industrieanlagen, beispielsweise in Hochleistungs-Servernetzteilen und Photovoltaik-Wechselrichtern, wo ein hocheffizienter Betrieb erforderlich ist.
Konventionelle SiC-Bauelemente wurden bisher in Durchsteckmontage-Gehäusen (Through-Hole) eingesetzt, die eine hervorragende Wärmeableitung bei hohen Leistungsanforderungen gewährleisten. Allerdings erfordern Durchsteckbauelemente eine manuelle Bestückung, und ihre Bauform erschwert die Realisierung flacherer Gehäuse. Daher gewinnen oberflächenmontierbare SiC-Bauelemente, die mit automatisierter Bestückung kompatibel sind, zunehmend an Bedeutung. Um diese Probleme zu lösen, bietet das neue TSC3PAK eine mit Durchstecktechnologie (z. B. TO-247) vergleichbare Wärmeableitung in einem oberflächenmontierbaren Gehäuse.
Das neue Gehäuse verfügt über die patentierte Rillenstruktur von ROHM, die eine branchenführende* Kriechstrecke von 6,66 mm gewährleistet. Dadurch ist es für eine Wechselspannung von bis zu 1200 V in Umgebungen der Verschmutzungsklasse 2 geeignet und gleichzeitig mit gängigen Produkten auf dem Markt kompatibel. Durch die sichere Isolationskonstruktion in Hochspannungsanwendungen trägt das TSC3PAK zudem zu geringeren Montagekosten und erhöhter Zuverlässigkeit bei.
Produkte mit dem neuen Gehäuse verwenden SiC-MOSFETs der 4. Generation von ROHM, die einen niedrigen Einschaltwiderstand und hohe Schaltgeschwindigkeiten aufweisen. Dadurch werden die Schaltverluste bei der Leistungswandlung deutlich reduziert, was zu einer höheren Anwendungseffizienz und einem geringeren Energieverbrauch beiträgt.
Die Serienproduktion begann im Juni 2026. Simulationsmodelle der sechs neuen Produkte stehen auf der offiziellen ROHM-Website , um eine schnelle Bewertung des Schaltungsdesigns zu ermöglichen. ROHM wird sein Angebot an SiC-MOSFETs kontinuierlich erweitern und so zu höherer Leistung, kleineren Abmessungen und größerer Zuverlässigkeit in elektronischen Geräten beitragen.
Anwendungsbeispiele
• Automobilsysteme: On-Board-Ladegeräte (OBCs) und elektrische Kompressoren
• Industrieanlagen: Photovoltaik-Wechselrichter und Server-Netzteile
Produktpalette
