Die Bausteine IRF6708S2 Small Can und IRF6728M Medium Can ermöglichen eine Reduzierung der Bauteilanzahl um 30 % und senken so die Systemkosten deutlich. Diese neuen DirectFET-MOSFETs zeichnen sich durch niedrige Last- und Durchlasswiderstandswerte (RDS(on)) aus (1,8 mW bei 10 V und 2,8 mW bei 4,5 V für den IRF6728M bzw. 7,5 mW bei 10 V und 12,0 mW bei 4,5 V für den IRF6708S2), wodurch Leitungs- und Schaltverluste minimiert werden. Der IRF6728M verfügt zudem über eine monolithisch integrierte Schottky-Diode, die Verluste durch Diodenleitung und Sperrverzögerung reduziert. Als hocheffiziente und wirtschaftliche Lösung für kostensensible DC/DC-Schaltanwendungen mit den hervorragenden thermischen Eigenschaften von DirectFETs bietet das Schaltungsset IRF6708S2/IRF6728M ein ausgezeichnetes Preis-Leistungs-Verhältnis.
Die RoHS-konformen MOSFETs IRF6708S2 und IRF6728M nutzen die neueste Generation von Silizium-IR für 30-V-MOSFETs. Neben ihren niedrigen RDS(on)- und Lastwerten zeichnen sich die neuen Bausteine durch die geringe parasitäre Widerstandsinduktivität und die überlegenen Kühleigenschaften des DirectFET-Gehäuses aus.
