ROHM Semiconductor bietet eine breite Palette an SiC-MOSFETs für all diese Anwendungen. Die Wahl des richtigen SiC-MOSFETs allein genügt jedoch nicht: Sie benötigen auch den passenden Gate-Treiber-IC. Die ICs BM61S40RFV-C und BM61S41RFV-C bieten beispielsweise eine Isolationsspannung von 3750 Vrms, eine I/O-Verzögerungszeit von 65 ns und eine minimale Eingangsimpulsbreite von 60 ns. Dank integrierter Schutzfunktionen wie Miller Clamp und Unterspannungsabschaltung (UVLO) eignen sich diese ICs zum Ansteuern aller ROHM SiC-MOSFETs. Alternativ können die Gate-Treiber-ICs auch zum Ansteuern herkömmlicher Si-MOSFETs und Si-IGBTs verwendet werden.
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- Kategorie: Integrierte Schaltungen
SiC-MOSFET: Gate-Treiber-ICs für industrielle und automobile Anwendungen
WBG-Halbleiter sind keine Zukunftsmusik mehr: SiC-MOSFETs versprechen beispielsweise Vorteile in vielfältigen Anwendungen, von On-Board-Ladegeräten und DC/DC-Wandlern in Automobilanwendungen bis hin zu industriellen Anwendungen wie Photovoltaikanlagen, unterbrechungsfreien Stromversorgungssystemen usw.
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