Dank der Leistungsfähigkeit der gesamten Lieferkette und der fortschrittlichen Verkapselungstechnologien in den Produktionsstätten von Rohm integriert das SiC-Halbbrückenmodul massenproduzierte SiC-MOSFETs in Grabenbauweise und SiC-SBDs auf dem gleichen Raum wie die Vorgängermodule.
ROHM hat Pionierarbeit bei kommerziellen Leistungsmodulen mit SiC-MOSFETs und SiC-SBDs geleistet und den branchenweit ersten Trench-MOSFET mit einer proprietären Struktur erfolgreich in Serie gefertigt, was langfristige Zuverlässigkeit gewährleistet. Das neue Modul verwendet MOSFETs mit seiner fortschrittlichen UMOS-Struktur, wodurch die JFET-Region entfällt und die SiC-Eigenschaften optimal genutzt werden. Es bietet den niedrigsten Drain-Source-Widerstand bei gleichzeitig hoher Schaltgeschwindigkeit und weist dank der extrem niedrigen Schwellenspannung (Vf) und der schnellen Erholungsleistung der integrierten SiC-SBDs praktisch keine Erholungsverluste (Err) auf.
Dadurch erzielt das Schaltmodul 77 % geringere Verluste als herkömmliche IGBT-Module und 42 % geringere Schaltverluste als planare SiC-Module mit einer DMOS-SiC-Struktur der zweiten Generation. Dies ermöglicht nicht nur den Betrieb mit hohen Frequenzen, sondern trägt auch zu kleineren Kühlsystemen und Peripheriekomponenten bei, was wiederum den Weg für größere Energieeinsparungen und die Miniaturisierung des Endprodukts ebnet.
Das neue SiC-Modul ist ab sofort erhältlich.
