Dieses Gerät bietet eine optimierte Lösung für robuste Stromversorgungsschaltungen in industriellen und automobilen Anwendungen.
Leistungshalbleiter spielen eine entscheidende Rolle bei der Entwicklung von Leistungselektronik in industriellen und automobilen Stromversorgungssystemen. Um die spezifischen Anforderungen dieser Anwendungen zu erfüllen, die Designflexibilität und Zuverlässigkeit zu erhöhen und eine schnellere Markteinführung zu ermöglichen, nutzt ROHM firmeneigene Mikrofertigungsprozesse zur Entwicklung eines integrierten kernlosen Transformators. Dieser ermöglicht die Herstellung kompakter, robuster und zuverlässiger isolierter Gate-Treiber, die für die SiC-Technologie optimiert sind.
Das neue Gerät verfügt über einen Ausgangsstrom von 4 A, eine integrierte aktive Miller-Sperrfunktion zur Vermeidung von Störeffekten während der Aktivierung sowie einen integrierten Unterspannungsschutz (UVLO) – eine wichtige Sicherheitsfunktion, die potenzielle Schäden am Leistungsschalter durch thermische Überlastung verhindert. Die Integration dieser Funktion in die Türsteuerung optimiert die Anzahl externer Komponenten und gewährleistet die Einhaltung der spezifischen Schutzanforderungen industrieller und automobiler Anwendungen (z. B. ASIL B/C/D für Automobile oder SIL2/3/4 für industrielle Anwendungen).
Entwickler können die Anzahl externer Bauteile und den Platzbedarf auf der Leiterplatte optimieren und so den Entwicklungsaufwand reduzieren. Die integrierte Funktionalität verbessert zudem die Leistung der Treiberstufe und die Systemzuverlässigkeit durch geringere elektromagnetische Störungen und reduzierte Kopplungseffekte. Die Pin-Kompatibilität mit BM60015FV-LB und BM60016FV-C bietet Designflexibilität und ermöglicht zukunftssichere, nachhaltige Lösungen.
Um die Gate-Treiberstufe zu vervollständigen, eignet sich der BD7F100HFN ideal für die Implementierung eines kompakten, bewährten Sperrwandlers (DC/DC-Wandler) zur Versorgung des isolierten Treiberabschnitts. ROHM bietet ein kleines, getestetes Evaluierungsboard an, das einen BD7F100HFN und den neuen Gate-Treiber-IC BM61S40RFV kombiniert.
Technische Daten
Isolationsspannung: 3750 Vrms
VCC1-Spannung: 4,5–5,5 V
VCC2-Spannung: 16–24 V
UVLO2-Spannung: 14,5 V (typ.)
Betriebstemperatur: -40–125 °C
I/O-Verzögerungszeit (max.): 60 ns
Verzögerungseinstellung: 20 ns
Ausgangsstrom: 4 A
Gehäuse: SSOP-B10W (3,50 mm × 10,20 mm × 1,9 mm)
ROHM Semiconductor kündigt eine neue Serie isolierter Gate-Treiber-ICs für Leistungs-MOSFETs an. Das erste Modell dieser Serie ist der BM61S40RFV, ein Gate-Treiber, der die AEC-Q100-Spezifikationen erfüllt, eine Isolation von 3,75 kV bietet und speziell für die SiC-Leistungs-MOSFETs von ROHM entwickelt wurde.
