ROHM produziert aktuell die ersten SiC-MOSFETs in Trench-Bauweise in Serie. Die neue Generation von SiC-MOSFETs von ROHM reduziert den Einschaltwiderstand über den gesamten Temperaturbereich um 50 % und die Eingangskapazität um 35 % – bei gleicher Chipgröße im Vergleich zu SiC-MOSFETs mit flachem Gate. Ihre optimale Leistung wird durch die Kombination geringer Verluste mit hoher Schaltgeschwindigkeit erreicht. Dank der höheren Schaltfrequenz können periphere Bauteile wie Induktivitäten und Kondensatoren verkleinert werden. Dies führt zu einem höheren Wirkungsgrad, was Miniaturisierung, Gewichtsreduzierung und gesteigerter Energieeffizienz ermöglicht. Die neuen 1200-V-SiC-MOSFETs der Serie SCT3080KL im TO-247-Gehäuse sind ein perfektes Beispiel dafür.
ROHM wird außerdem AECQ-zugelassene SiC-MOSFETs auf Basis der planaren Serie der 2. Generation anbieten.
SiC-Schottky-Dioden der dritten Generation:
Die dritte Generation von SiC-Schottky-Dioden erreicht die niedrigste Durchlassspannung (V<sub>F</sub>) und den geringsten Sperrstrom (I<sub>R</sub>) über den gesamten Temperaturbereich aller derzeit verfügbaren SiC-Schottky-Dioden. Sie zeichnen sich zudem durch ihre Fähigkeit aus, hohe Überströme zu bewältigen und eignen sich daher ideal für Stromversorgungsanwendungen. Neben den kürzlich angekündigten TO220AC-Bauteilen mit 650 V/6, 8 und 10 A ergänzt ROHM die Produktfamilie um D2PAK- und TO220FM-Bauteile mit niedrigeren Stromoptionen von 2 A und 4 A.
SiC-Dioden bieten im Vergleich zu Silizium-basierten Bauelementen eine extrem kurze Sperrverzögerungszeit und eignen sich daher ideal für Hochgeschwindigkeitsschaltungen.
Insgesamt tragen diese Eigenschaften zum anhaltenden Trend hin zu höherer Effizienz, Leistungsdichte und Robustheit in Schaltungen bei.
SiC-
Module von ROHM, darunter Chopper-Module für Wandler, integrieren SiC-MOSFETs in Trench-Bauweise und in Serie gefertigte SiC-Schottky-Dioden. Neben 2-in-1-Modulen sind Chopper-Module mit 1200 V/120 A, 180 A und 300 A erhältlich, um den Marktanforderungen gerecht zu werden. ROHM arbeitet außerdem an einem neuen Leistungsmodul mit geringerer parasitärer Induktivität.
Weitere Informationen oder ein Angebot
