Dieser MOSFET-Gate-Treiber ist für die Konfiguration eines Leistungsmultiplexers oder einer Lastschaltschaltung mit Rückstromsperre und antiparallel geschalteten externen N-Kanal-MOSFETs konzipiert.
 
Der TCK421G verfügt über eine Ladungspumpenschaltung, die einen weiten Eingangsspannungsbereich (VIN) von 2,7 bis 28,0 V unterstützt und eine stabile 10-V-Versorgung für die Gate-Source-Spannung der externen MOSFETs bereitstellt. Dies ermöglicht das Schalten hoher Ströme. Der typische Ruhestrom im eingeschalteten Zustand (IQ(ON)) beträgt minimal 140 mA, während der Standby-Strom im ausgeschalteten Zustand (IQ(OFF)) nur 0,5 mA beträgt. Darüber hinaus bietet der TCK421G Schutz vor Über- und Unterspannung. Die Gate-Steuerspannung kann an die jeweilige Anwendung angepasst werden.
 
Das Bauteil, das im WCSP6G-Gehäuse geliefert wird, hat eine Grundfläche von nur 1,2 mm × 0,8 mm und eine Höhe von 0,35 mm. Dies ist eines der kleinsten Gehäuse der Branche und ermöglicht den Einsatz in Geräten mit hoher Leistungsdichte wie Wearables und Smartphones.
 
Der TCK421G ist das erste Produkt einer Serie von sechs Geräten. Dank seiner hohen Effizienz und geringen Größe eignet sich der neue Treiber für eine Vielzahl von Anwendungen, darunter batteriebetriebene Geräte, Konsumgüter und Industrieanlagen.

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