Toshibas neuer Hochleistungs-SPDT-HF-Schalter (TCWA1225G) bietet eine maximale Eingangsleistung von 46 dBm (bei 8 dB PAR). Dies wurde durch die Verwendung von Toshibas eigenem CMOS-Prozess und die Optimierung der internen Schaltschaltung erreicht. Der CMOS-Prozess reduziert zudem die Einfügungsdämpfung, um einen Rückgang der Sendeleistung und der Empfängerempfindlichkeit zu vermeiden. Dadurch beträgt die Einfügungsdämpfung des TCWA1225G typ. 0,6 dB bei 5 GHz und ist damit rund 10 % niedriger als bei vergleichbaren Produkten.

Die Nennbetriebsspannung liegt bei 3,3 V, die Leistungsaufnahme bei nur 50 μA. Das neue Bauteil ist für einen Betriebstemperaturbereich von -40 °C bis +95 °C geeignet.

Der TCWA1225G ist in einem winzigen WCSP (Wafer-Level Chip Scale Package) mit Abmessungen von nur 1,9 mm x 1,9 mm untergebracht – eine um 10 % kleinere Grundfläche als bei anderen Bauteilen. Alle wichtigen Anschlüsse, einschließlich HF-, Stromversorgungs- und Steueranschlüsse, befinden sich am Rand des Geräts, um das Leiterplattendesign zu vereinfachen.

Im Zuge des 5G-Ausbaus haben Telekommunikationsbasisstationen kürzlich Massive MIMO (Multiple Input Multiple Output) und mehrere Sende-/Empfangsantennen integriert, um ultraschnelle und hochkapazitive Funkkommunikationsdienste zu ermöglichen.

Einzelne Antennen bestehen zunehmend aus komplexen Signalübertragungspfaden, die HF-Schaltungen erfordern. Dies bedingt geringe Einfügedämpfung und hohe Eingangsleistung in einem kompakten Gehäuse, um die Antennengröße beizubehalten oder zu reduzieren.

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