Alle Geräte bieten nicht nur optimierte Energiemanagementfunktionen, sondern auch ein innovatives und kompaktes Gehäusedesign, das den Anforderungen einer breiten Palette von Anwendungen gerecht wird, z. B. große Netzteile, Wechselrichter, Industrieanlagen, Server und andere.
Empfohlen
Komplette 1200-V/300-A-SiC-Leistungsmodule.
Das neue BSM300D12P2E001 eignet sich dank seines Nennstroms von 300 A besonders für Hochleistungsanwendungen wie z. B. großvolumige Netzteile für Industrieanlagen. Darüber hinaus weist es 77 % geringere Schaltverluste als herkömmliche IGBT-Module auf, was einen Betrieb mit hohen Frequenzen ermöglicht und kleinere Kühlmaßnahmen sowie weniger Peripheriekomponenten erlaubt. ROHM verwendet ein neues Gehäusedesign, das die Auswirkungen von Spannungsspitzen beim Schalten minimiert. Eine neuartige Struktur zur Abschirmung elektrischer Felder in Kombination mit einem neuen Screening-Verfahren sorgt für hohe Zuverlässigkeit und macht das Modul zum idealen Ersatz für IGBT-Module mit höheren maximalen Nennströmen. Das neue Bauteil ergänzt das bestehende Sortiment an kompletten SiC-Leistungsmodulen mit 1200 V/120 A (inkl. MOSFET und SBD) bzw. 1200 V/180 A (nur MOSFET), die bereits in der Industrie und im Energiesektor immer häufiger eingesetzt werden.
IGBT-IPMs (Intelligente Leistungsmodule):
Die neue Familie intelligenter Leistungsmodule (IPMs) für effiziente Motorsteuerungen und Wechselrichteranwendungen umfasst IGBT-basierte Module, optimiert für niedrige und hohe Drehzahlen, sowie MOSFET-basierte IPMs mit ROHMs patentierter Low Ron SuperJunction MOSFET (PrestoMOS™)-Technologie – alle im kompakten HSDIP25-Gehäuse. Dies bietet Entwicklern von Haushaltsgeräten und Industriemotoren eine äußerst zuverlässige Lösung und vielfältige kostengünstige Designoptionen. Die neuen Bausteine reduzieren die Leistungsverluste sowohl bei leichten als auch bei schweren Lasten deutlich und erhöhen gleichzeitig die Belastbarkeit. Die Produktreihe umfasst 10-A-, 15-A- und 20-A-IGBT-IPMs mit 600 V; 30-A-Versionen sind in Entwicklung.
AC/DC-Wandler-Steuer-ICs für SiC-MOSFETs:
Der BD7682FJ-LB ermöglicht die einfache Implementierung von SiC-MOSFETs in AC/DC-Wandlern und überwindet die Herausforderung diskreter Konfigurationen. Er bietet eine hochintegrierte Lösung und setzt neue Maßstäbe für Energieeinsparung und Miniaturisierung, während er gleichzeitig die Einführung von SiC-Leistungshalbleitern unterstützt. Im Vergleich zu Silizium-MOSFETs, die in herkömmlichen AC/DC-Wandlern verwendet werden, ermöglichen SiC-MOSFETs AC/DC-Wandler mit bis zu 6 % höherer Energieeffizienz. Darüber hinaus sind keine Komponenten zur Wärmeableitung (wie z. B. 50-W-Gehäusenetzteile) erforderlich, was zu einer kompakteren Bauweise führt. Die Spezifikation des BD7682FJ-LB umfasst außerdem vielfältige Schutzfunktionen, die eine Hochspannungsunterstützung bis zu 690 V AC ermöglichen und ihn somit ideal für allgemeine Industrieanlagen machen und gleichzeitig die Zuverlässigkeit erhöhen.
