Die DRV835x-Treiber von TI nutzen eine Smart Gate Drive (SGD)-Architektur, um die Anzahl der üblicherweise für den MOSFET-Schutz und die Anstiegsgeschwindigkeitsregelung benötigten externen Komponenten zu reduzieren. Die SGD-Architektur optimiert zudem die Totzeit, um Auslösezustände zu vermeiden, bietet Flexibilität zur Reduzierung elektromagnetischer Störungen (EMI) durch MOSFET-Anstiegsgeschwindigkeitsregelung und schützt über VGS-Überwachungsschaltungen vor Gate-Kurzschlüssen. Die Treiber verfügen über optionale integrierte Stromshuntverstärker zur Unterstützung verschiedener Motorsteuerungsschemata sowie einen Abwärtsregler zur Versorgung des Gate-Treibers oder eines externen Controllers. Eine robuste Gate-Pulldown-Schaltung verhindert parasitäre dV/dt-Gate-Einschaltvorgänge.
Die DRV835x-Treiber sind kompatibel mit den DRV8353Rx-EVM-15A-Treiber-Evaluierungsmodulen, dreiphasigen BLDC-Ansteuerstufen basierend auf dem Gate-Treiber DRV8353RH oder DRV83583RS sowie den TI CSD88599Q5DC NexFET™-Leistungsblöcken. Die Evaluierungsmodule verfügen über separate DC-Bus- und Phasenspannungsmessung sowie separate LS-Stromshuntverstärker (Low-Side) und eignen sich daher ideal für sensorlose BLDC-Algorithmen.
Mouser Electronics, Inc. vertreibt die dreiphasigen Smart-Gate-Treiber DRV835x von Texas Instruments (TI). Diese hochintegrierten Gate-Treiber sind für Anwendungen mit dreiphasigen bürstenlosen Gleichstrommotoren (BLDC) konzipiert und unterstützen unter anderem Front-of-Line-Control (FOC), sinusförmige Stromregelung und trapezförmige Stromregelung.
