Die DRV835x-Treiber von TI nutzen eine Smart Gate Drive (SGD)-Architektur, um die Anzahl der üblicherweise für den MOSFET-Schutz und die Anstiegsgeschwindigkeitsregelung benötigten externen Komponenten zu reduzieren. Die SGD-Architektur optimiert zudem die Totzeit, um Auslösezustände zu vermeiden, bietet Flexibilität zur Reduzierung elektromagnetischer Störungen (EMI) durch MOSFET-Anstiegsgeschwindigkeitsregelung und schützt über VGS-Überwachungsschaltungen vor Gate-Kurzschlüssen. Die Treiber verfügen über optionale integrierte Stromshuntverstärker zur Unterstützung verschiedener Motorsteuerungsschemata sowie einen Abwärtsregler zur Versorgung des Gate-Treibers oder eines externen Controllers. Eine robuste Gate-Pulldown-Schaltung verhindert parasitäre dV/dt-Gate-Einschaltvorgänge.

Die DRV835x-Treiber sind kompatibel mit den DRV8353Rx-EVM-15A-Treiber-Evaluierungsmodulen, dreiphasigen BLDC-Ansteuerstufen basierend auf dem Gate-Treiber DRV8353RH oder DRV83583RS sowie den TI CSD88599Q5DC NexFET™-Leistungsblöcken. Die Evaluierungsmodule verfügen über separate DC-Bus- und Phasenspannungsmessung sowie separate LS-Stromshuntverstärker (Low-Side) und eignen sich daher ideal für sensorlose BLDC-Algorithmen.

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