Die Toshiba Corporation hat ihr Angebot an robusten diskreten Schalt-IGBTs der 6. Generation für allgemeine und industrielle Anwendungen um den „GT50J342“ erweitert. Dieser IGBT im TO-3P(N)-Gehäuse zeichnet sich durch einen IC-Wert von 55 A und eine VCES-Spannung von 600 V aus. Die neue Serie garantiert eine typische VCE(sat)-Spannung von 1,5 V bei einem IC-Wert von 50 A und einer Schaltzeit von 5 µs (Tj ≤ 150 °C) und eignet sich für den Einsatz in universellen Wechselrichtern und Motorantrieben.
Anwendungsbereiche: Wechselrichter, Allzweck-Motoreinheiten
Hauptspezifikationen:
1. Niedrige Sättigungsspannung: VCE(sat) = 1,5 V (typisch) bei IC = 50 A
2. Hohe Sperrschichttemperatur: Tj = 175 °C
3. Zulässige Kurzschlusszeit: tsc = 5 μs (Tj ≤ 150 °C)
4. Enthält schnelle Erholungsdioden (FRD)
Papier: 150,00 € (inkl. MwSt.)
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