Die Simulation ist ein sehr wertvolles Werkzeug für Designer, da sie die Anzahl der benötigten Prototypen reduziert, Wiederholungen überflüssig macht und somit die Entwicklungseffizienz steigert und den gesamten Zeit-, Kosten- und Risikoaufwand verringert.
In der anspruchsvollen Welt der Leistungselektronik und des Automobildesigns besteht ein starker Bedarf an Vorabprognosen des EMV-Verhaltens und der Gesamtverlustleistung von Systemen. Dies führt zu einer steigenden Nachfrage nach SPICE-Modellen für Leistungshalbleiter, die Leistungsumwandlungswirkungsgrade, EMV und andere relevante Parameter vorhersagen können.
Diese neuen SPICE-G2-Modelle für diskrete Leistungshalbleiter werden mithilfe des Makromodellformats erstellt. Dieses kombiniert mehrere kompakte Modelle, um die Bauteilstruktur abzubilden und die elektrischen Eigenschaften mit wenigen nichtlinearen Elementen und einer beliebigen stetigen Funktion darzustellen. Mit diesem Ansatz werden Schaltsimulationen genauer und bilden reale Messungen besser ab, indem die Reproduzierbarkeit der Hochstromkennlinie (ID-VDS-Kennlinie) einschließlich der spannungsabhängigen Eigenschaften der parasitären Kapazität verbessert wird.
Die auf der Toshiba-Website erhältlichen G2-Modelle decken Niederspannungs-MOSFETs (12 V–300 V) sowie Mittel- und Hochspannungs-MOSFETs (400 V bis 900 V) ab. Versionen sind für PSpice und LTSpice verfügbar.
