Die MOSFETs (ThunderFET®-Leistungs-MOSFET-Technologie) zeichnen sich durch ihren niedrigen Einschaltwiderstand (1,93 mΩ) und ihre geringe Gate-Kapazität (250 nC) aus. Sie sind in zwei Ausführungen erhältlich: eine für 150 V und eine für 400 A und eine für 200 V und 273 A. Die Gleichrichter sind bekannt für ihre Betriebsspannung von 1200 V (eine Ausführung ist für 160 A und eine für bis zu 220 A ausgelegt), ihren niedrigen Wärmewiderstand (0,26 °C/W) und einen Durchlassspannungsabfall von nur 1,22 V. Die Ultrafast-Familie (FRED Pt®-Diode) wurde um ein Modul mit dualer Topologie (300 V–280 A) und ein einphasiges Brückengleichrichtermodul (650 V–60 A) erweitert. Diese zeichnen sich durch eine Erholungszeit von 58 ns und Soft-Recovery-Eigenschaften zur Reduzierung von elektromagnetischen Störungen (EMI) und Hochfrequenzstörungen (RFI) aus. Die Familie der Schottkies-Leistungsmodule (TMBS®-Diode) wird um ein neues Modell mit dualer Topologie für 300 A und 170 V erweitert. Alle Module sind für Betriebstemperaturen bis 175 °C geeignet. Anwendungsbereiche:
• Hochleistungs-DC/DC-Wandler, Batterieladegeräte, AC-Motorantriebe und USV-Systeme.
• ODER-Verknüpfungen in Ladegeräten für Elektrofahrzeuge und Gleichrichterbrücken für Ein- und Dreiphasennetze.
• Hochfrequenz-Wechselrichter für Schweißgeräte, USV-Systeme und Ausgangsgleichrichter für Ladestationen und Schaltnetzteile.
• Hochfrequenz-Schaltnetzteile und Plasmaschneidanlagen.
Serienmodelle und Muster sind verfügbar.

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