Mit einem Gütefaktor (FOM) von 3,1Ω*nC, was zu geringeren Verlusten sowohl beim Leiten als auch beim Schalten führt, und einem RDS(ON) von 0,059Ω
ist es im 8x8 (8x8mm) PowerPAK-Format erhältlich und eignet sich ideal für industrielle Anwendungen und Telekommunikationsanwendungen, im Schaltnetzteildesign und zur Leistungsfaktorkorrektur.
- Details
- Kategorie: Integrierte Schaltungen
VISHAY SiHH068N60E 600V MOSFET
RC Microelectronics präsentiert den SiHH068N60E 600V MOSFET (4. Generation) der von ihr vertretenen Firma VISHAY, der in der Lage ist, 34A Dauerstrom und Spitzenströme von bis zu 100A zu leiten.
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