Wie die Vorgängergeneration werden auch die neuen 650-V-ICeGaN-H2-Transistoren ähnlich wie Silizium-MOSFETs angesteuert. Dadurch entfällt die Notwendigkeit komplexer und ineffizienter Schaltungen, da handelsübliche Gate-Treiber verwendet werden. Die ICeGaN-H2-HEMTs weisen zudem einen um den Faktor 10 niedrigeren QG-Wert und einen um den Faktor 5 niedrigeren QOSS-Wert als Siliziumbauteile auf. Dies ermöglicht eine drastische Reduzierung der Schaltverluste bei hohen Schaltfrequenzen bei gleichzeitig geringerer Größe und niedrigerem Gewicht. Das Ergebnis ist ein branchenführender Wirkungsgrad, der für Schaltnetzteile 2 % höher ist als der der besten Silizium-MOSFETs.
GIORGIA LONGOBARDI | CEO & MITGRÜNDERIN, CGD: „CGD hat sich mit der ICeGaN-Serie H2 eine innovative Führungsposition erarbeitet. Unabhängige Untersuchungen der Virginia Tech haben gezeigt, dass ICeGaNs die robustesten GaN-Bauelemente der Branche sind und sich hinsichtlich der Benutzerfreundlichkeit wie ein Standard-Silizium-MOSFET steuern lassen. Dadurch entfällt die Lernkurve, die die Markteinführung verlangsamen kann. Die Effizienz von GaN ist bekannt, und ICeGaN überzeugt über den gesamten Lastbereich.“
Die ICeGaN H2-Serie verfügt über eine innovative NL3-Schaltung (Leerlauf- und Teillastbetrieb), die in den GaN-Schalter integriert ist und so rekordverdächtig niedrige Leistungsverluste ermöglicht. Eine fortschrittliche, ebenfalls integrierte Miller-Klemmstruktur macht negative Gate-Spannungen überflüssig, erreicht ein echtes Null-Volt-Abschalten und verbessert die dynamische RDS(ON)-Performance. Diese GaN-HEMTs im e-Mode (normalerweise ausgeschaltet) auf einem einzigen Chip besitzen eine monolithisch integrierte Schnittstelle und Schutzschaltung für unübertroffene Gate-Zuverlässigkeit und einfaches Design. Eine Strommessfunktion reduziert die Verlustleistung und ermöglicht die direkte Erdung zur Optimierung von Kühlung und EMV.
GIORGIA LONGOBARDI | CEO UND MITGRÜNDERIN, CGD: „CGD hat alle Herausforderungen gemeistert, die die Einführung einer neuen Technologie typischerweise verlangsamen. Darüber hinaus sind wir nun bereit, den Massenmarkt mit unseren ICeGaN-Transistoren der H2-Serie zu bedienen, die über eine etablierte Lieferkette erhältlich sind.“
