Darüber hinaus verbessert sich der RDS(ON) x QGD-Wert, der als Kenngröße für die MOSFET-Leistung dient, um etwa 52 %. Zu den Zielanwendungen gehören hocheffiziente Schaltnetzteile in Rechenzentren, Leistungsaufbereiter für Photovoltaikanlagen und unterbrechungsfreie Stromversorgungssysteme.
Das neue Produkt verwendet das bewährte TOLL-Gehäuse mit Kelvin-Anschluss für die Signalquelle. Dadurch wird die Induktivität der Zuleitung reduziert, was Schaltschwingungen verringert und das Schaltverhalten bei hohen Gate-Geschwindigkeiten des MOSFET verbessert. Die spezielle Pin-Formgebung gewährleistet optimale Lötverbindungen, erhöht die Zuverlässigkeit der Montage und erleichtert die Sichtprüfung.
Die maximale Kanaltemperatur (Tch) des neuen Produkts beträgt 150 °C. Der RDS(ON)-Wert von 47 mΩ wird bei einer Gate-Source-Spannung von 10 V angegeben.
Die typische Gesamtgate-Ladung (Qg), Gate-Drain-Ladung (Qgd) und Eingangskapazität (Ciss) betragen 65 nC, 15 nC bzw. 3680 pF. Diese Werte ermöglichen dem neuen Bauelement Schaltgeschwindigkeiten von maximaler Geschwindigkeit.
Toshiba wird sein Angebot an Produkten der 600V DTMOSVI-Serie sowie die bereits eingeführte 650V DTMOSVI-Serie weiter ausbauen, um durch die Reduzierung von Leistungsverlusten in Schaltnetzteilen zu Energieeinsparungen beizutragen.
