Darüber hinaus kann durch Erhöhung der maximal zulässigen Überlastübergangstemperatur auf 175 °C eine signifikante Steigerung der Leistungsdichte erzielt werden.
Der 1200V TRENCHSTOP™ IGBT7 ist in verschiedenen Modulen erhältlich: als 1200V EasyPIM™ 1B, ein dreiphasiger Eingangsgleichrichter (PIM – Power Integrated Module) mit 10A und 25A; als 1200V EasyPACK™ 2B Sechserpack-IGBT-Modul; und als 100A Sechserpack-IGBT-Modul. Die neuen Module verfügen über die gleiche Pinbelegung wie die TRENCHSTOP IGBT4-Module, was die Entwicklung vereinfacht. Sie sind außerdem mit höherem Ausgangsstrom im gleichen Gehäuse oder mit ähnlichem Ausgangsstrom in einem kleineren Gehäuse erhältlich, was bei Bedarf kompaktere Wechselrichter ermöglicht. Alle Modultypen sind mit der bewährten PressFit-Montagetechnologie von Infineon ausgestattet, die für geringen Widerstand und kurze Bearbeitungszeiten sorgt.
Die Hauptvorteile des TRENCHSTOP™ IGBT7 sind:
• Geringe Verluste: Die neue Chiptechnologie zeichnet sich durch deutlich geringere Verluste und eine optimierte, niedrige Sättigungsspannung (V<sub>CE(sat)</sub>) aus.
• Optimierte Spannungsanstiegsgeschwindigkeit (dv/dt) von 2–8 kV/µs, ideal für Treiberanwendungen.
• Optimiertes Kurzschlussverhalten; 8 µs bei 150 °C sind für Treiberanwendungen ausreichend.
• Der Gate-Treiber ist einfacher und für die Anwendungsvorbereitung optimiert. Zur Ansteuerung wird nur ein Gate-Widerstand benötigt.
• Erhöhte Leerlaufspannung (T<sub>V<sub>JOP</sub>) bis 175 °C für höhere Leistungsdichte.
• Erstklassige Sättigungsspannung (V<sub>CE(sat)</sub>).
• Betrieb bei 175 °C unter Überlast.
• Verbesserte, für Treiberanwendungen optimierte Ansteuerung.
• Höhere Leistungsdichte: Gleiche Leistung in einem 35 % kleineren Gehäuse.
Die 1200-V-TRENCHSTOP™-IGBT7-Module und die emittergesteuerte Diode EC7 von Infineon sind in Europa bei Farnell erhältlich.
