Die MGJ2B und MGJ1 SIP eignen sich ideal zum Ansteuern von IGBT/SiC- und MOSFET-Gates in Brückenschaltungen. Der MGJ1 SIP unterstützt zudem GaN-Spannungen von +12 V, +8 V und +6 V/-3 V. Beide Serien zeichnen sich durch eine hohe Isolation, eine Dauerspannungsfestigkeit von 2,4 kV, eine verstärkte UL62368-Isolation von 300 Vrms und die typischen dv/dt-Anforderungen für Brückenschaltungen in CMTI-Motortreibern und Wechselrichtern mit >200 kV/µs aus.
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- Kategorie: Sonstige Komponenten
Neueste hocheffiziente DC/DC-Wandler von Murata Power Solutions
Zu den Neuheiten im Farnell-Produktportfolio gehört die DC/DC-Wandler-Serie MGN1, die für die Stromversorgung von High-Side- und Low-Side-Gate-Treiberschaltungen für GaN-Brückenschaltungen entwickelt wurde. Verschiedene Ausgangsspannungen ermöglichen optimale Treiberpegel für eine verbesserte Systemeffizienz. Die MGN1-Serie zeichnet sich durch ihre Fähigkeit aus, die hohen dv/dt-Anforderungen zu erfüllen, die typischerweise in schnell schaltenden GaN-Anwendungen auftreten, und verfügt über eine extrem niedrige Isolationskapazität sowie eine verstärkte 250-V-Isolierung.
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