Die Serie eignet sich zur Ansteuerung von SiC-MOSFETs und IGBTs in Anwendungen der grünen Energie und der industriellen Automatisierung, darunter industrielle Photovoltaik-Wechselrichter, unterbrechungsfreie Stromversorgungen (USV) und Ladestationen für Elektrofahrzeuge, die auch unter rauen thermischen Bedingungen eingesetzt werden. Die drei Bausteine ​​der Serie TLP579xH sind für die Ansteuerung von Leistungshalbleitern mit kleiner bis mittlerer Kapazität sowie von IGBTs ausgelegt. Der TLP5791H verfügt über einen Spitzenausgangsstrom von -1,0 A (High-Level) bzw. +1,0 A (Low-Level) mit einer erweiterten Unterspannungsabschaltschwelle (UVLO+) von maximal 9,5 V, einer Unterspannungsabschaltschwelle (VUVLO-) von minimal 7,5 V und einer UVLO-Hysteresespannung (VUVLOHYS) von typ. 0,5 V. Der TLP5794H liefert einen maximalen Ausgangsstrom von -6,0 A bis +4,0 A für IOLH/IOHL, mit einer maximalen VUVLO+ von 13,5 V, einer minimalen VUVLO- von 9,5 V und einer typischen VUVLOHYS von 1,5 V. Der TLP5795H ermöglicht einen Ausgangsstrom von -4,5 A bis +5,3 A für den High-/Low-Pegel (IOLH/IOHL), mit einer maximalen VUVLO+ von 13,5 V, einer minimalen VUVLO- von 11,1 V und einer typischen VUVLOHYS von 1,0 V. Die Laufzeitverzögerung ist temperaturunempfindlich und gewährleistet so einen stabilen Betrieb im praxisrelevanten Bereich industrieller Automatisierungsanlagen. Die TLP579xH-Serie ist zudem ein Rail-to-Rail-Ausgangsbaustein, der Schaltvorgänge mit minimalem Spannungsabfall unter der Versorgungsspannung ermöglicht. Diese Eigenschaft ist nützlich für Anwendungen, die Schaltungen erfordern, die mit niedrigen Spannungen arbeiten oder Signale über den gesamten Versorgungsspannungsbereich verarbeiten. Darüber hinaus hat Toshiba die Lichtausbeute der eingangsseitigen Infrarot-Leuchtdiode (LED) verbessert und das Design des lichtempfindlichen Elements (Photodiodenarray) im Vergleich zu den Vorgängermodellen optimiert. Diese Verbesserungen erhöhen die optische Kopplungseffizienz des Produkts und ermöglichen den Betrieb in einem Temperaturbereich von -40 °C bis +125 °C. Toshiba hat außerdem die Laufzeitverzögerung und deren Abweichung innerhalb dieses Betriebstemperaturbereichs standardisiert. Die TLP579xH-Serie ist in einem kleinen SO6L-Gehäuse erhältlich, was die Flexibilität bei der Bauteilplatzierung auf Leiterplatten erhöht. Zusätzlich zeichnen sich die neuen Produkte durch eine minimale Kriechstrecke von 8,0 mm und eine Isolationsspannung von 5000 V<sub>RMS</sub> aus und eignen sich daher für den Einsatz in Geräten mit hohen Isolationsanforderungen. Weitere Informationen zu den Optokopplern der Serie TLP579xH für Gate-Treiber finden Sie auf der Toshiba-Website: TLP5791H,  TLP5794H, TLP5795H.  Toshiba entwickelt und erweitert sein Angebot an Optokopplern für MOSFET- und IGBT-Gate-Ansteuerungsanwendungen in Industrieanlagen kontinuierlich. Neue Produkte sind für Ende 2025 geplant. Hinweise zur Verwendung und zu Vorsichtsmaßnahmen bei der Stromversorgung mit negativer Gate-Vorspannung finden Sie im Applikationshinweis „ Hinweise zur Verwendung von Stromversorgungen mit negativer Gate-Vorspannung für Leistungshalbleiter“ .