Die bewährte Leistungsfähigkeit und Zuverlässigkeit der GaN-Technologie machen sie zur idealen Wahl für Infrastruktur-, Verteidigungs- und Luft- und Raumfahrtanwendungen wie Radar, Kommunikation, Navigation und ähnliche Anwendungen. Die gesteigerte Leistungsfähigkeit bietet Entwicklern die Flexibilität, die Leiterplattengröße und die Systemkosten zu reduzieren und gleichzeitig die Systemleistung zu verbessern.
Der Qorvo QPD1025L, erhältlich bei Mouser Electronics, ist ein HEMT (High Electron Mobility Transistor), der sowohl Dauerstrich- (CW) als auch Pulsbetrieb (CW) unterstützt und dadurch eine vergleichbare Leistung wie Silizium-basierte LDMOS-Bauelemente bietet. Das mit 65 V betriebene Bauteil bietet eine lineare Verstärkung von 22,5 dB und einen typischen Wirkungsgrad (PAE3dB) von 77,2 %. Der QPD1025L verfügt über einen internen Vorverstärkereingang, was die Kompatibilität mit externen Leiterplatten vereinfacht und Platz spart.
Der bleifreie, RoHS-konforme Transistor ist mit dem Evaluierungsboard QPD1025L kompatibel.
