Die Vishay Semiconductors VS-SF50LA120, VS-SF50SA120, VS-SF100SA120, VS-SF150SA120 und VS-SF200SA120 beinhalten die neueste Generation von Siliziumkarbid (SiC) MOSFETs von Vishay im branchenüblichen SOT-227-Gehäuse.
Die Leistungsmodule sind als Einzelschalter- und Low-Side-Chopper-Varianten erhältlich und verfügen jeweils über einen integrierten SiC-MOSFET mit Soft-Body-Diode, der eine geringe Sperrverzögerung ermöglicht. Dies führt zu geringeren Schaltverlusten und höherem Wirkungsgrad in Solarwechselrichtern, netzunabhängigen Ladegeräten für Elektrofahrzeuge, Schaltnetzteilen (SMPS), DC/DC-Wandlern, USV- und HLK-Systemen, Großbatteriespeichern und Telekommunikationsnetzteilen.
Das kompakte SOT-227-Gehäuse der Bausteine VS-SF50LA120, VS-SF50SA120, VS-SF100SA120, VS-SF150SA120 und VS-SF200SA120 ermöglicht den direkten Austausch von Konkurrenzprodukten in bestehenden Designs. Entwickler können so eine der neuesten SiC-Technologien nutzen, ohne das Leiterplattendesign anpassen zu müssen. Darüber hinaus bietet das vergossene Gehäuse eine elektrische Isolation von bis zu 2500 V für eine Minute. Dadurch werden Kosten gespart, da keine zusätzliche Isolierung zwischen Bauteil und Kühlkörper benötigt wird.
Die Leistungsmodule liefern einen Dauerstrom von 50 A bis 200 A und einen niedrigen Durchlasswiderstand von bis zu 12,1 mΩ. Die Bauelemente sind RoHS-konform, ermöglichen schnelles Schalten mit geringer Kapazität und sind für eine maximale Sperrschichttemperatur von +175 °C ausgelegt.
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