Gleichzeitig ist eine höhere Leistung erforderlich, um den Energieverbrauch zu senken.
Die Verkleinerung des Gehäuses verringert jedoch auch die Oberfläche der Rückelektrode und das Profil, was zu einer geringeren Wärmeableitung führt. Um dem entgegenzuwirken, verbessert das PMDE-Gehäuse von ROHM die Wärmeableitung durch Vergrößerung der Rückelektrode und Optimierung des Wärmeableitungspfads.
Dadurch werden die gleichen elektrischen Eigenschaften wie bei herkömmlichen Gehäusen erreicht, jedoch in einem kleineren Gehäuse.
Das patentierte, kompakte PMDE-Gehäuse von ROHM verfügt über ein Schaltungsdesign, das dem herkömmlichen SOD-323-Typ entspricht. Durch Optimierungen der Rückelektrode und des Wärmeableitungspfads erreicht ROHM die gleichen elektrischen Eigenschaften (z. B. Stromstärke, unterbrechungsfreie Spannung) wie das Standardgehäuse SOD-123FL (3,5 mm × 1,6 mm) in einem kleineren Gehäuse. Dies trägt zur Miniaturisierung von Leiterplatten bei, da die Montagefläche um ca. 42 % reduziert wird. Darüber hinaus ist die mechanische Festigkeit ca. 1,4-mal höher als die des SOD-123FL. Dadurch wird das Risiko von Lötstellenrissen unter Spannung verringert und somit eine höhere Zuverlässigkeit der Montage gewährleistet.
Die PMDE-Gehäusereihe umfasst acht Modelle der RBxx8-Serie von Schottky-Barrieredioden (SBDs), zwei Modelle der RFN-Serie von schnellen Erholungsdioden (FRDs) und zwei Modelle der VS-Serie von TVS-Dioden. Diese kompakten Dioden ermöglichen ein breites Anwendungsspektrum in Schaltungen.
ROHM wird auch zukünftig die Qualität seiner Halbleiterbauelemente im Nieder- und Hochspannungsbereich weiter verbessern und gleichzeitig sein charakteristisches Produktportfolio stärken, um den Stromverbrauch weiter zu senken und eine noch stärkere Miniaturisierung der Gehäuse zu erreichen.
(Abb. 2)
PMDE-Gehäuseprodukte:
Das PMDE-Gehäuse bietet die gleichen elektrischen Eigenschaften wie das herkömmliche SOD-123FL-Gehäuse, jedoch in kompakterer Bauform. Dies gewährleistet eine bessere Wärmeableitung und höhere Zuverlässigkeit bei der Montage. Darüber hinaus entsprechen alle für die Automobilindustrie zugelassenen Teilenummern dem AEC-Q101-Standard für Zuverlässigkeit in der Automobilindustrie. Unsere neuen PMDE-Gehäuseproduktreihen sind unten aufgeführt. (SBD: Nur RBR-Serie, Serienproduktion seit Juni 2021.)
1. SBD: Merkmale der RBxx8-Serie (Neue Produkte)
Diese SBDs bieten niedrige Durchlassspannung bei gleichzeitig hohem Wirkungsgrad. Die RBxx8-Serie wurde um zehn Modelle im PMDE-Gehäuse mit Durchbruchspannungen von 30 V bis 150 V erweitert. Sie gewährleisten extrem niedrigen Sperrstrom (IR) und einen stabilen Betrieb auch bei hohen Temperaturen.
RBxx8-Serien-Bereichsdiagramm
(Abb. 3)
2. SBD: Merkmale der RBR-Serie (Ankündigung August 2021)
Die RBR-Serie bietet ein ausgewogenes Verhältnis zwischen niedriger Durchlassspannung, die für einen höheren Wirkungsgrad entscheidend ist, und niedrigem Sperrstrom (Serienproduktion seit Juni 2020). Diese PDME-Gehäuseserie umfasst 6 verschiedene Modelle.
RBR-Serienbereichstabelle (PMDE-Paket)
(Abb. 4)
3. FRD: Merkmale der RFN-Serie (Neue Produkte)
FRDs bieten eine hohe unterbrechungsfreie Spannung (bis zu 800 V), vergleichbar mit der von Gleichrichterdioden, sowie eine ausgezeichnete Sperrverzögerungszeit (trr), die für den Hochfrequenzbetrieb wichtig ist. Die RFN-Serie bietet die gleichen elektrischen Eigenschaften wie herkömmliche Produkte in einem kompakten PMDE-Gehäuse.
RFN-Serienbereichstabelle (PMDE-Gehäuse)
(Abb. 5)
4. TVS: Merkmale der VS-Serie (Neue Produkte)
Die TVS-Diode absorbiert die beim Anlauf oder Durchbruch auftretenden Spannungsspitzen und reduziert sie auf eine konstante Spannung. Die VS-Serie unterstützt einen breiten Bereich von Sperrspannungen (VRWM) von 5 V bis 130 V.
(Es werden 32 Sperrspannungsbereiche zwischen 5 V und 130 V angeboten.)
VS-Serienbereichstabelle (PMDE-Paket)
(Abb. 6)
Verfügbarkeit: Serienproduktion, erhältlich über die Online-Distributoren Digi-key, Mouser und Farnell AG.
Anwendungsbeispiele
(Abb. 7 – 10)
