Diese neuen Fotorelais sind für Betriebstemperaturen bis zu 135 °C ausgelegt und in einem ultrakompakten S-VSON4T-Gehäuse mit Abmessungen von nur 1,45 × 2,0 mm (typ.) untergebracht.

Angesichts der zunehmenden Elektrifizierung und des autonomen Fahrens in der Automobilindustrie stehen Ingenieure vor der wachsenden Herausforderung, Schaltungen zu entwickeln, die hohen Temperaturen standhalten und mehr Funktionalität auf immer kleinerem Raum integrieren. Die neuen Fotorelais von Toshiba erfüllen diese Anforderungen mit einer höheren maximalen Betriebstemperatur von 125 °C als bisherige Produkte. Dadurch wird eine zuverlässige Funktion selbst in thermisch anspruchsvollen Umgebungen wie Halbleitertestern für die Automobilindustrie, Burn-in-Systemen und Prüfplatinen gewährleistet.

Dank integrierter Eingangswiderstände können diese Fotorelais direkt spannungsgesteuert werden. Externe Widerstände entfallen, was die Schaltungsentwicklung vereinfacht. Dies reduziert nicht nur die Anzahl der Bauteile, sondern spart auch wertvollen Platz auf der Leiterplatte und ermöglicht so kompaktere und effizientere Designs. Das S-VSON4T-Gehäuse ermöglicht zudem eine hohe Packungsdichte, sodass Entwickler mehrere Relais auf begrenzter Platinenfläche integrieren können, ohne Kompromisse bei Leistung oder Zuverlässigkeit einzugehen.

das TLP3407SRBbietet einen Durchlassstrom von bis zu 1 A, während die Modelle TLP3412SRB, TLP3412SRHB und TLP3412SRLB robuste Schalteigenschaften mit niedrigem Durchlasswiderstand und schnellen Ansprechzeiten aufweisen. Diese Eigenschaften machen die neue Serie besonders geeignet für Anwendungen, bei denen schnelles und zuverlässiges Schalten entscheidend ist.