Mehrere fortschrittliche EDA-Lösungen für analoge und Mixed-Signal-Anwendungen von Siemens ermöglichten INTERCHIP die Erstellung präziser Siliziumsimulationen seines neuesten VCXO und dessen Entwicklung um das Dreifache im Vergleich zur Vorgängerlösung. Diese bemerkenswerte Beschleunigung der Verifizierungszyklen war entscheidend für die Einhaltung der ambitionierten Markteinführungsziele.

„Als führender Hersteller von Quarzoszillatoren für viele der weltweit größten OEMs aus den Bereichen Konsumgüter, Medizintechnik und Industrie strebt unser Team danach, komplexe technische Herausforderungen zu meistern, um Quarzoszillatoren mit hoher Geschwindigkeit, Präzision und großem Frequenzbereich zu liefern“, so Ryuji Ariyoshi, CEO von INTERCHIP. „Wir sind stolz darauf, komplexe Designherausforderungen wie Linearität, Frequenzansteuerung, Rauschverhalten, Alterung und Stromverbrauch erfolgreich bewältigt zu haben. Die Siemens Analog FastSPICE-Plattform war unsere erste Wahl, da sie nanometergenaue SPICE-Ergebnisse dreimal schneller liefert als herkömmliche SPICE-Simulatoren. Darüber hinaus ermöglichte uns die Siemens Symphony-Plattform die erfolgreiche Verifizierung der komplexen analogen und digitalen Interaktion und Funktionalität unseres Chips.“

Die Siemens Analog FastSPICE Plattform ermöglicht die Verifikation kundenspezifischer analoger, HF-, Mixed-Signal-, Speicher- und digitaler Schaltungen im Nanometerbereich. Die für Foundries bis hinunter zu 2 nm zertifizierte Plattform bietet eine SPICE-Genauigkeit im Nanometerbereich, die doppelt so schnell ist wie die von parallelen SPICE-Simulatoren. Die Lösung umfasst eine umfassende Rauschanalyse des gesamten Spektrums, um Kunden eine präzise Siliziumcharakterisierung zu ermöglichen. Darüber hinaus bietet die Symphony™ Plattform, basierend auf der Siemens Analog FastSPICE Plattform, dank ihrer benutzerfreundlichen Oberfläche, robusten Debugging-Funktionen und umfassenden Konfigurationsunterstützung eine schnelle und präzise Mixed-Signal-Verifikation komplexer integrierter Schaltungen im Nanometerbereich.