Die integrierten eGaN-Schaltungen und Feldeffekttransistoren (FETs) von EPC bieten eine deutlich höhere Leistung als die besten Silizium (Si) Leistungs-Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFETs) in Anwendungen wie DC/DC-Wandlern, Fernerkundungstechnologien wie LiDAR (Light Detection and Location), Motorsteuerung für Elektromobilität, Robotik und Drohnen sowie anderen Anwendungen.
Ziel der Vereinbarung ist es, den Zugang zur GaN-Technologie für Ingenieure weltweit zu erweitern und die Einführung hocheffizienter Energielösungen zu beschleunigen.
„Diese globale Vereinbarung mit Mouser ist Teil unserer Vertriebsstrategie, um mehr Ingenieure zu erreichen, die ihre Designs aufgrund der Vorteile von GaN gegenüber Silizium mit diesem Technologiematerial umsetzen möchten“, sagte Nick Cataldo, Senior Vice President für Vertrieb und Marketing bei EPC. „Mouser verfügt über eine fantastische globale Reichweite, und es ist uns eine Freude, mit einem so dynamischen Unternehmen zusammenzuarbeiten.“.
„Das Angebot an Hochleistungs-Energielösungen von EPC ergänzt unser Markenportfolio hervorragend und erfüllt die Bedürfnisse unserer Kunden“, sagte Heather McGriff, Vice President Supplier Management bei Mouser. „Es ist uns eine Freude, eine langfristige Partnerschaft aufzubauen und der globalen Ingenieursgemeinschaft diese innovativen Technologien anbieten zu können.“.
Der EPC2302, jetzt bei Mouser erhältlich, ist ein 100-V-eGaN-Leistungstransistor mit einem maximalen Drain-Source-Widerstand (RDS(on)) von 1,8 mΩ in einem induktivitätsarmen, 3 × 5 mm großen QFN-Gehäuse (Quad Flat Terminalless). Seine freiliegende Oberseite gewährleistet ein optimales Wärmemanagement. Er ist für Hochfrequenz-DC/DC-Wandleranwendungen (40–60 V) und bürstenlose 48-V-Gleichstrommotortreiber (BLDC) ausgelegt. Die freiliegende Oberseite verbessert das Wärmemanagement, und die benetzbaren Seitenkanten sorgen dafür, dass die gesamte Oberfläche des Seitenpads beim Reflow-Löten mit Lot benetzt wird. Dies schützt das Kupfer und ermöglicht das Löten an dieser Außenkante für eine einfache optische Inspektion. Die extrem niedrige Kapazität und der Sperrstrom von null des eGaN-FETs gewährleisten einen effizienten Betrieb in vielen Topologien. Die Leistung wird durch das kompakte, induktivitätsarme Gehäuse zusätzlich optimiert.
Der eGaN-Leistungstransistor EPC2304 ist für Anwendungen mit extrem hohen Schaltfrequenzen und kurzen Einschaltzeiten sowie für Anwendungen mit signifikanten Durchlassverlusten konzipiert. Er eignet sich ideal für Motortreiber, Class-D-Audioverstärker, drahtlose Energieübertragung und Leistungsfaktorkorrekturwandler (PFC). Der EPC2304 ist in einem thermisch optimierten 3 × 5 mm QFN-Gehäuse mit freiliegender Oberseite und extrem niedrigem Wärmewiderstand erhältlich, um niedrige Betriebstemperaturen zu gewährleisten. Das Gehäuse verfügt zudem über benetzbare Kanten für eine einfachere Montage und Inspektion.
Der Leistungsstufen-IC EPC23102 ePower™ umfasst eine Eingangslogikschnittstelle, einen Pegelwandler für die High-Side, eine Bootstrap-Synchronlast und Gate-Treiber sowie eGaN-Ausgangs-FETs in einem einzigen monolithischen QFN-Gehäuse mit einer Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe von 1 (MSL1). Dies wird durch die proprietäre GaN-IC-Technologie von EPC erreicht. Das Ergebnis ist ein Leistungsstufen-IC, der Logikpegel-Steuersignale in eine Hochspannungs- und Hochstrom-Leistungsstufe umwandelt, die einfacher zu entwerfen, kleiner und leichter herzustellen ist und gleichzeitig einen effizienteren Betrieb bietet. Dieses Bauteil eignet sich ideal für Motortreiber-Wechselrichter, Class-D-Audioverstärker, Halbbrücken- und Vollbrücken-LLC-Wandler sowie viele weitere Anwendungen.
Der EPC2305 ist ein 150-V-eGaN-Leistungstransistor, der im Vergleich zu den besten Silizium-MOSFETs die Schalt- und Gate-Treiberverluste reduziert und dank verbesserter Effizienz, kleinerer Baugröße und höherer Schaltfrequenz eine höhere Leistungsdichte ermöglicht. Dies erlaubt kleinere Induktivitäten und weniger Kondensatoren. Typische Anwendungsbereiche für den EPC2305 sind Mobiltelefone, Laptops, Gaming-PCs, Elektrowerkzeuge, Haushaltsroboter, Elektrofahrzeuge und Solaranlagen.
