GaN ist eine Halbleitertechnologie der nächsten Generation, die aufgrund ihrer überlegenen Leistung im Vergleich zu herkömmlichen Silizium-Halbleitern zunehmend an Bedeutung gewinnt. Gleichzeitig reduziert sie den Stromverbrauch und den Platzbedarf. GaN arbeitet bis zu 20-mal schneller als Silizium und ermöglicht zudem eine dreimal schnellere Leistungsübertragung bzw. Ladeleistung. Dank seiner kompakten Bauweise können die Systemkosten für Entwickler, Ingenieure und Architekten von Stromversorgungssystemen potenziell um 20 % gesenkt werden.
Die GaNFast™-Leistungs-ICs von Navitas mit GaNSense™-Technologie integrieren Leistungs-, Ansteuer- und Steuerungsfunktionen sowie integrierten Schutz und verlustfreie Strommessung. Dadurch bieten sie Energieeffizienz, minimalen Platzbedarf und höchste Leistungswandlungsgeschwindigkeit. Die neueste GaNSense-Halbbrücken-IC-Familie des Unternehmens ist eine vollständig integrierte Einkomponentenlösung, die es AC/DC-Netzteilen ermöglicht, MHz-Schaltfrequenzen in einer Vielzahl von Soft-Switching-Anwendungen zu erreichen.
Mitsubishi Electric und Sony gründen ein Unternehmen für KI-gestützte Bildverarbeitungssensoren für die Industrie
Mitsubishi Electric Corporation und Sony Semiconductor Solutions Corporation haben eine Vereinbarung zur Gründung eines Joint Ventures getroffen, das sich auf die Entwicklung KI-gestützter Bildverarbeitungssensoren für die industrielle Automatisierung konzentrieren soll.
