Aufbauend auf einer bestehenden und erfolgreichen Zusammenarbeit wollen die Unternehmen untersuchen, wie eine engere Kooperation in der Halbleiterentwicklung und der Integration von Antriebssystemen zur nächsten Generation von Elektro- und Hybridfahrzeugplattformen beitragen kann. Diese Zusammenarbeit folgt auf den erfolgreichen Einsatz von GaN-Bauelementen von Nexperia im hochintegrierten Stromerzeugungssystem von Aurobay Technologies für Reichweitenverlängerungsanwendungen. Das Projekt demonstrierte das Potenzial von Breitband-Halbleitertechnologien zur Steigerung der Effizienz, Reduzierung von Systemgröße und -gewicht sowie Verbesserung der Gesamtleistung in anspruchsvollen automobilen Umgebungen.
Aufbauend auf dieser Grundlage werden Nexperia und Aurobay Technologies Möglichkeiten zur weiteren Optimierung von Leistungselektronikarchitekturen für Anwendungen wie Traktionswechselrichter und Stromerzeugungssysteme evaluieren. Durch die Kombination von Nexperias Expertise im Bereich Breitbandhalbleiter mit Aurobay Technologies' Erfahrung und Kompetenzen im Bereich Antriebssysteme wollen die Unternehmen gemeinsame Entwicklungsansätze, einschließlich frühzeitiger Co-Design-Phasen und Systemoptimierung, evaluieren. Da Fahrzeughersteller höhere Effizienz, höhere Leistungsdichte und kompaktere Antriebsarchitekturen anstreben, gewinnen Breitbandhalbleitertechnologien zunehmend an Bedeutung für die Elektrifizierung. Mit dieser Kooperation wollen Nexperia und Aurobay Technologies neue Ansätze erforschen, die die Einführung fortschrittlicher Leistungshalbleiterlösungen beschleunigen und die Entwicklung skalierbarer, leistungsstarker Antriebssysteme für die Mobilität der Zukunft unterstützen.
Edoardo Merli, Leiter des Geschäftsbereichs Breitbandhalbleiter, IGBT und Module bei Nexperia, erklärte: „GaN- und SiC-Technologien bieten erhebliches Potenzial zur Verbesserung von Effizienz, Leistungsdichte und Systemleistung in Automobilanwendungen. Durch die enge Zusammenarbeit mit Aurobay Technologies können wir die Systemanforderungen besser verstehen und bewerten, wie fortschrittliche Halbleitertechnologien messbare Vorteile auf Fahrzeugebene bieten können. Wir freuen uns darauf, unsere erfolgreiche Zusammenarbeit weiter zu vertiefen und gemeinsam neue Möglichkeiten zu erkunden.“
Dr. Ma Yongquan, leitender Ingenieur für die Entwicklung fortschrittlicher elektrischer Komponenten bei Aurobay Technologies, erklärte: „Unsere Erfahrungen mit der Integration der GaN-Technologie von Nexperia in ein hochintegriertes Energieerzeugungssystem haben das Potenzial einer engen Zusammenarbeit entlang der gesamten Wertschöpfungskette aufgezeigt. Durch die Kombination unserer Expertise im Bereich Antriebssysteme mit den Halbleiterinnovationen von Nexperia können wir neue Ansätze zur Verbesserung der Effizienz, Leistung und des Designs zukünftiger elektrifizierter Antriebssysteme evaluieren.“
