Die Elektrifizierung von Automobilen, der steigende Leistungsbedarf von 5G-Telekommunikationsgeräten und der Aufstieg von Industrie 4.0 erfordern eine hohe Energieeffizienz. GaN wird sich hierbei voraussichtlich als dominierende Technologie etablieren. Diese Trends untermauern die wachsende Nachfrage nach Leistungshalbleitern ab 2021. Die UAES setzt bereits GaN-FETs von Nexperia in Forschungs- und Entwicklungsprojekten sowie in Kooperationsprojekten ein, darunter fahrzeugmontierte Ladegeräte und Hochspannungs-DC/DC-Wandler für Elektrofahrzeuge. Die GaN-Technologie von Nexperia zeichnet sich durch außergewöhnlich gute Leistungskennzahlen (RDS(on) x QGD) und Sperrverzögerungsladung (Qrr) aus, die hohe Schaltfrequenzen und eine effiziente Leistungsumwandlung ermöglichen. Nexperia produziert GaN mit ausgereiften und zuverlässigen Massenproduktionsverfahren, größtenteils in eigenen globalen Produktionsstätten, und fertigt Produkte gemäß dem Automobilstandard AEC-Q101.

Die UAES bietet Automobilherstellern fortschrittliche und umfassende Lösungen für Karosseriesteuerungssysteme und Antriebsstränge. Das Unternehmen ist spezialisiert auf die Entwicklung, Produktion und den Vertrieb von Benzinmotor-Managementsystemen, Getriebesteuerungssystemen, Fahrzeugelektroniksystemen sowie Hybrid- und Elektroantriebssteuerungssystemen. Seine fünf Technologiezentren in China verfügen über erstklassige Labore für die Entwicklung von Komplettfahrzeugen, Motoren, Automatikgetrieben und Elektroantriebssystemen. Modernste Ausrüstung ermöglicht die effiziente Erbringung hochwertiger Ingenieurdienstleistungen, darunter Systementwicklung, Komponentenentwicklung und Kalibrierung, für verschiedene chinesische Automobilhersteller.

Paul Zhang, Senior Vice President Sales and Marketing und General Manager von Nexperia in China, erklärte: „Die Leistungsdichte und Effizienz von siliziumbasierten GaN-Feldeffekttransistoren spielen eine entscheidende Rolle bei der Elektrifizierung von Automobilen. Wir schätzen das breite Angebot, die Marktposition und den Kundenstamm von UAES in der Automobilindustrie und sind überzeugt, dass unsere verstärkte Zusammenarbeit im Bereich GaN beiden Unternehmen helfen wird, unseren Kunden fortschrittlichere und effizientere Lösungen für elektrische Fahrzeugantriebssysteme anzubieten. Anfang des Monats haben wir eine Erhöhung der globalen Produktions- und F&E-Investitionen angekündigt, um die Entwicklung neuer Produkte umfassend zu unterstützen. Wir beabsichtigen, unsere Investitionen auszuweiten und gemeinsam ein Labor zur Entwicklung von GaN-Technologieanwendungen für die Automobilindustrie zu errichten.“

Ein Sprecher des UAES-Managements erklärte: „Wir freuen uns sehr über die Zusammenarbeit mit Nexperia bei der Entwicklung innovativer Stromversorgungslösungen für Elektrofahrzeuge auf Basis der GaN-Technologie. Nexperia ist ein führender Halbleiterhersteller für Automobilanwendungen. Diese Partnerschaft wird uns helfen, die Anzahl der verwendeten Bauelemente zu reduzieren, die Kosten zu senken, die Leistungsdichte zu erhöhen und die Zuverlässigkeit und Effizienz des Gesamtsystems zu verbessern.“

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