Die Transaktion bewertet Transphorm mit rund 339 Millionen US-Dollar. Durch die Übernahme erhält Renesas proprietäre GaN-Technologie, ein Schlüsselmaterial der nächsten Generation für Leistungshalbleiter, und erweitert seine Reichweite in schnell wachsenden Märkten wie Elektromobilität, Computertechnik (Rechenzentren, KI, Infrastruktur), erneuerbare Energien, industrielle Leistungsumwandlung und Schnellladegeräte/-adapter.

Die Nachfrage nach hocheffizienten Stromversorgungssystemen steigt als grundlegende Voraussetzung für Klimaneutralität. Um diesem Trend gerecht zu werden, findet branchenweit ein Übergang zu Breitband-Materialien (WBG) wie beispielsweise Siliziumkarbid (SiC) statt. Diese fortschrittlichen Materialien ermöglichen einen größeren Bereich an Schaltspannungen und -frequenzen als herkömmliche Silizium-basierte Bauelemente. Um diese Dynamik zu nutzen, hat Renesas die Einrichtung einer eigenen SiC-Produktionslinie angekündigt, die durch einen 10-jährigen Liefervertrag für SiC-Wafer abgesichert ist.

Renesas will nun sein WBG-Portfolio mit Transphorms Expertise in GaN, einem aufstrebenden Material, das höhere Schaltfrequenzen, geringere Leistungsverluste und kleinere Bauformen ermöglicht, weiter ausbauen. Diese Vorteile verbessern Kundensysteme durch höhere Effizienz, kompaktere und leichtere Bauweise sowie geringere Gesamtkosten. Laut einer Branchenstudie wird die Nachfrage nach GaN daher voraussichtlich jährlich um mehr als 50 % steigen. Renesas wird die von Transphorm entwickelte GaN-Technologie einsetzen, um neue, optimierte Stromversorgungslösungen zu entwickeln, darunter X-in-1-Antriebslösungen für Elektrofahrzeuge sowie Anwendungen in den Bereichen Computertechnik, Energie, Industrie und Konsumgüter.