Die Unterzeichnungszeremonie fand in der Tokioter Zentrale von Renesas zwischen Hidetoshi Shibata, Präsident und CEO von Renesas, und Gregg Lowe, Präsident und CEO von Wolfspeed, statt.

Der zehnjährige Liefervertrag sieht vor, dass Wolfspeed Renesas ab dem Jahr 2025 mit 150-mm-Siliziumkarbid-Wafern (unbeschichtet und epitaktisch) beliefert. Dies unterstreicht die Vision beider Unternehmen für einen branchenweiten Übergang von Silizium zu Siliziumkarbid bei Leistungshalbleiterbauelementen. Der Vertrag sieht außerdem die Lieferung von 200-mm-Siliziumkarbid-Wafern (unbeschichtet und epitaktisch) an Renesas vor, sobald das kürzlich angekündigte John Palmour Silicon Carbide Fabrication Center (JP) vollständig in Betrieb ist.

Der Bedarf an effizienteren Leistungshalbleitern für die Stromversorgung und -steuerung steigt in allen Industrie- und Automobilanwendungen rasant an, angetrieben durch das Wachstum von Elektrofahrzeugen und erneuerbaren Energien. Renesas reagiert schnell auf die steigende Nachfrage nach Leistungshalbleitern und erweitert seine internen Fertigungskapazitäten. Das Unternehmen gab kürzlich die Wiederaufnahme der IGBT-Produktion in seinem Werk in Kofu und die Einrichtung einer Siliziumkarbid-Produktionslinie in seinem Werk in Takasaki bekannt.

Im Vergleich zu herkömmlichen Silizium-Leistungshalbleitern ermöglichen Siliziumkarbid-Bauelemente eine höhere Energieeffizienz, eine höhere Leistungsdichte und niedrigere Systemkosten. In einer zunehmend energiebewussten Welt findet Siliziumkarbid immer breitere Anwendung in zahlreichen Großanwendungen, darunter Elektrofahrzeuge, erneuerbare Energien und Energiespeicher, Ladeinfrastruktur, industrielle Stromversorgungen, Traktionstechnik und Frequenzumrichter.

„Die Wafer-Liefervereinbarung mit Wolfspeed sichert Renesas eine stabile, langfristige Versorgung mit hochwertigen Siliziumkarbid-Wafern. Dadurch kann Renesas sein Angebot an Leistungshalbleitern erweitern und die vielfältigen Anwendungsbereiche seiner Kunden noch besser bedienen“, sagte Hidetoshi Shibata, Präsident und CEO von Renesas. „Wir sind nun bestens aufgestellt, um uns als wichtiger Akteur im schnell wachsenden Siliziumkarbid-Markt zu etablieren.“

„Angesichts der steigenden Nachfrage nach Siliziumkarbid in der Automobil-, Industrie- und Energiebranche ist es unerlässlich, führende Leistungshalbleiterkunden wie Renesas an Bord zu haben, die den globalen Übergang von Silizium zu Siliziumkarbid vorantreiben“, sagte Gregg Lowe, Präsident und CEO von Wolfspeed. „Seit über 35 Jahren konzentriert sich Wolfspeed auf die Herstellung hochwertiger Siliziumkarbid-Wafer und Leistungshalbleiterbauelemente. Diese Partnerschaft ist ein wichtiger Schritt auf unserem Weg, weltweit Energie zu sparen.“

Die Investition von Renesas in Höhe von 2 Milliarden US-Dollar unterstützt Wolfspeeds laufende Kapazitätsausbauprojekte, darunter das JP, die weltweit größte Produktionsanlage für Siliziumkarbidmaterialien in Chatham County, North Carolina. Diese hochmoderne Anlage, die mehrere Milliarden US-Dollar kostet, soll die derzeitige Siliziumkarbid-Produktionskapazität von Wolfspeed am Standort Durham, North Carolina, mehr als verzehnfachen. Das Werk wird hauptsächlich 200-mm-Siliziumkarbid-Wafer produzieren, die 1,7-mal größer sind als 150-mm-Wafer. Dies führt zu mehr Chips pro Wafer und letztendlich zu geringeren Gerätekosten.

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