Mit dem wachsenden Bestreben nach Klimaneutralität wird die Nachfrage nach hocheffizienten Leistungshalbleitern, die Strom liefern und verwalten, in den kommenden Jahren weltweit voraussichtlich drastisch steigen. Renesas rechnet mit einem rasanten Anstieg der Nachfrage nach Elektrofahrzeugen und plant daher, seine Produktionskapazität für Leistungshalbleiter wie IGBTs auszubauen, um zur Dekarbonisierung beizutragen. Sobald das Werk in Kofu die Serienproduktion aufnimmt, wird sich die gesamte Produktionskapazität für Leistungshalbleiter von Renesas verdoppeln.

Das Werk in Kofu der Renesas Semiconductor Manufacturing Co., Ltd., einer hundertprozentigen Tochtergesellschaft von Renesas, verfügte bisher über Fertigungslinien für 150-mm- und 200-mm-Wafer. Um die Produktionskapazität zu erhöhen, beschloss Renesas, ein verbliebenes Werksgebäude zu nutzen und es zu einer dedizierten Fertigungsanlage für 300-mm-Wafer für Leistungshalbleiter umzubauen.

Unter Berücksichtigung der Strategie des japanischen Ministeriums für Wirtschaft, Handel und Industrie (MTI) für Halbleiter plant Renesas, die Investition bis Ende 2022 in enger Abstimmung mit dem Ministerium durchzuführen.