Mit Spitzenleistungen von bis zu 150 mW sind die neuen Everlight IR-LEDs mit Abstrahlwinkeln von 20° bis 160° erhältlich. Sie unterstützen einen breiten Eingangsspannungsbereich (bis zu 4 V). Die LEDs sind in SMD-Gehäusen (Formfaktor 1206 oder 3216) sowie in bedrahteten Versionen mit Gehäusedurchmessern von 1,5 mm bis 5 mm verfügbar. Klare, transparente und blaue Linsen sind erhältlich.
Everlight PIN-Fotodioden zeichnen sich durch hohe Lichtempfindlichkeit und ein Dunkelstromrauschen von nur 5 nA bzw. 10 nA aus. Ihre maximale Sperrspannung beträgt 32 V. Dank ihrer schnellen Ansprechzeit (bis zu 6 ns) lassen sich diese Bauelemente mit spektral angepassten IR-LEDs zu Fotosensorsystemen für Anwendungen mit hohen Frequenzen kombinieren. Sie sind als SMD- und THT-Varianten erhältlich. Plan- und Konvexlinsen sowie optische Filter sind verfügbar.
Die von TME angebotenen Everlight-Fototransistoren mit einer maximalen Wellenlänge von 940 nm sind für eine maximale Kollektor-Emitter-Spannung von 30 V ausgelegt. Es stehen verschiedene Gehäuseoptionen zur Verfügung, darunter Durchsteck- und Oberflächenmontage.
Adam Kuczyński, Mitbegründer und Leiter der Geschäftsentwicklung bei TME, kommentiert die neuen Produkteinführungen wie folgt: „Der technische und finanzielle Druck, dem Ingenieure ausgesetzt sind, erfordert optoelektronische Bauelemente, die hohe Leistungsstandards erfüllen und sowohl kosteneffizient als auch langfristig zuverlässig sind. Die von uns angebotenen Everlight IR-LEDs, PIN-Fotodioden und Fototransistoren erfüllen all diese Anforderungen.“
