Mit der EcoGaN™-Serie bietet ROHM Semiconductor Entwicklern ein breites Portfolio an GaN-Komponenten, um all ihren Bedürfnissen gerecht zu werden: ob diskrete GaN-HEMTs (150 V oder 650 V), optimierte Gate-Treiber, andere Controller oder integrierte Leistungsstufenbauelemente.
Die EcoGaN™-Technologie von ROHM reduziert das Bauteilvolumen um bis zu 90 % und die Leistungsverluste um bis zu 55 % im Vergleich zu Silizium-MOSFETs. Dank der deutlich höheren Schaltleistung der GaN-Bauelemente werden weniger passive Bauteile benötigt. Die Serie zeichnet sich durch ihre einfache Anwendung aus: GaN-Bauelemente im Anreicherungsmodus (normalerweise ausgeschaltet) bieten eine erstklassige Gate-Source-Spannung (150-V-Klasse) in einem Gehäuse mit hoher Wärmeableitung und geringer parasitärer Induktivität. Mit dem branchenweit höchsten Gütefaktor (FOM), integriertem Schutz vor elektrostatischer Entladung (650-V-Klasse) und minimierter Streuinduktivität ermöglichen EcoGaN™-Bauelemente die Miniaturisierung von Systemen und einen reduzierten Stromverbrauch.
Auf der PCIM 2024 (11.–13. Juni in Nürnberg) präsentiert sich ROHM in Halle 9, Stand 304, und zeigt neben der EcoGaN™-Serie weitere wichtige Produkte. Dazu gehören SiC-MOSFETs der 4. Generation, Gate-Treiber und intelligente Low-Side-Leistungshalbleiter. Die Leistungselektronikprodukte von ROHM sind auf die sich wandelnden Anforderungen verschiedener Branchen zugeschnitten und tragen zu einer nachhaltigeren Zukunft bei
