Autres semi-conducteurs
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Mouser propose désormais en stock le nouveau processeur IoT embarqué Synaptics SL1680. Le SL1680 est le dernier-né d'une série de processeurs système sur puce (SoC) embarqués avec intelligence artificielle native Android™ et Linux®, optimisés pour les applications IoT multimodales d'entreprise, grand public et industrielles.
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Toshiba Electronics Europe GmbH (« Toshiba ») a enrichi sa gamme de diodes Zener avec le lancement de 15 nouveaux produits. Ces composants sont destinés à protéger les lignes d'alimentation des semi-conducteurs et des équipements contre les surtensions de commutation et les pics de tension de longue durée. Ils trouveront leur utilité dans de nombreuses applications grand public et industrielles.
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Dans les systèmes de communication électronique modernes, le transfert efficace des signaux audio et vidéo est essentiel. Lorsqu'il est nécessaire de connecter différents appareils ou réseaux traitant ces signaux, on utilise un pont audio/vidéo. Ce dispositif interconnecte, synchronise et gère plusieurs flux de données audiovisuelles, garantissant leur transmission correcte sans perte de qualité ni désynchronisation temporelle.
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Aujourd'hui, les systèmes embarqués exigent un équilibre entre rapidité de traitement du signal et précision de contrôle des systèmes physiques. Ce besoin a favorisé le développement des contrôleurs de signaux numériques (DSC), des dispositifs hybrides qui combinent la puissance de traitement d'un processeur de signal numérique (DSP) avec la flexibilité et la facilité de contrôle d'un microcontrôleur (MCU).
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Toshiba Electronics Europe GmbH (« Toshiba ») élargit sa gamme de diodes Zener de protection contre les surtensions pour l’automobile avec le lancement de la série XCEZ. Ces nouvelles diodes sont logées dans un boîtier SOD-523 compact et polyvalent, ce qui les rend particulièrement adaptées aux applications à espace restreint telles que les systèmes d’infodivertissement embarqués (IVI), les systèmes avancés d’aide à la conduite (ADAS) et les systèmes de gestion de batterie (BMS).
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Toshiba Electronics Europe GmbH (« Toshiba ») a lancé le TPH2R70AR5, un nouveau MOSFET de puissance à canal N de 100 V, fabriqué selon son procédé U-MOS11-H de pointe. Ce MOSFET sera principalement utilisé dans les alimentations à découpage (SMPS), notamment dans les convertisseurs CC-CC à haut rendement.
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Que ce soit pour des expériences de cinéma immersives à domicile, des affichages tête haute dans les voitures ou la vision industrielle, les projecteurs connaissent une popularité croissante. Pour ces applications, ams OSRAM lance le premier produit de sa nouvelle gamme de diodes laser haute puissance Vegalas™ Power.
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Toshiba Electronics Europe GmbH (« Toshiba ») annonce le lancement de deux nouveaux MOSFET de puissance à canal N : le TPM1R908QM 80 V et le TPM7R10CQ5 150 V. Ces nouveaux produits intègrent le boîtier innovant SOP Advance(E) de Toshiba, conçu pour améliorer les performances des alimentations à découpage destinées aux équipements industriels exigeants, notamment les centres de données et les stations de base de communication.
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La société Magnachip Semiconductor Corporation a annoncé aujourd'hui le lancement d'un nouveau MOSFET MXT MV 80V, le MDLT080N017RH, avec un boîtier TOLT (TO-Leaded Top-Side Cooling).
Le MOSFET encapsulé TOLT représente une avancée significative en matière de gestion thermique.
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Mouser propose désormais les MOSFET de puissance OptiMOS™ 6 150 V d'Infineon Technologies. Caractérisée par de faibles pertes de commutation, la gamme 150 V offre une efficacité, une densité de puissance et une fiabilité exceptionnelles pour les alimentations de serveurs, les optimiseurs solaires, les chargeurs USB haute puissance et les infrastructures de télécommunications.
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Les IGBT sont depuis longtemps des composants incontournables de l'industrie, alliant puissance élevée et simplicité de commande. La nouvelle technologie IGBT7 se distingue par ses caractéristiques, notamment une tension directe plus faible, des courants nominaux plus élevés, une capacité de surcharge de 175 °C, un contrôle dv/dt amélioré et une roue libre optimisée. Associée à un boîtier innovant à faible inductance, la technologie IGBT7 offre une grande facilité d'utilisation, une robustesse accrue, des densités de puissance supérieures et un rendement amélioré, tout en réduisant les coûts système.
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ROHM a annoncé la sortie de nouveaux modèles SPICE de niveau 3 (L3) qui offrent une convergence nettement améliorée et des performances de simulation plus rapides.
Étant donné que les pertes des semi-conducteurs de puissance ont un impact significatif sur le rendement global du système, la précision de la simulation lors de la phase de conception est cruciale. Les précédents modèles SPICE de niveau 1 (L1) de ROHM pour les MOSFET SiC répondaient à ce besoin en reproduisant fidèlement les caractéristiques clés des composants.
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