Autres semi-conducteurs
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Toshiba Electronics Europe GmbH (« Toshiba ») a lancé sur le marché deux isolateurs numériques standard compacts, à quatre canaux, à vitesse moyenne et à faible consommation, destinés aux équipements industriels et à l'électronique grand public.
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Toshiba Electronics Europe GmbH (« Toshiba ») a élargi sa gamme de MOSFET de puissance à canal N avec le lancement de neuf nouveaux composants dans trois types de petits boîtiers à dissipation thermique élevée.
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Vishay Intertechnology, Inc. a enrichi sa plateforme Gen 7 de redresseurs ultrarapides FRED Pt® 1200 V avec six nouveaux dispositifs de la série eSMP® en boîtier SMPC HV. Optimisés pour les applications industrielles, automobiles et de puissance, les redresseurs 1 A, 2 A et 3 A offrent un équilibre optimal entre la charge de récupération inverse (Qrr) et la puissance
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ROHM a développé la série AG16xFNxx, une gamme de MOSFET de puissance 80 V conçus pour les systèmes électriques 48 V, de plus en plus utilisés dans l'automobile. Dans ce secteur, la demande en puissance est croissante, notamment pour les véhicules haut de gamme.
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Mouser Electronics, Inc. est un distributeur mondial agréé des produits les plus récents d'Altera, le premier fournisseur mondial de solutions FPGA exclusives. Avec plus de 7 500 produits en stock ou disponibles sur commande, Mouser propose une vaste gamme de solutions Altera de dernière génération, fournissant les composants essentiels pour les centres de données, l'intelligence artificielle (IA), les technologies immersives et les applications embarquées.
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Ideal Power a annoncé la disponibilité de son nouveau dispositif B-TRAN® IPAD01208A04, un commutateur bidirectionnel à semi-conducteurs de 1200 V et 75 A conçu pour les applications à haute efficacité énergétique où les pertes par conduction, la fiabilité et la densité de puissance sont des facteurs critiques.
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Wolfspeed a dévoilé sa technologie de cinquième génération, qui représente une avancée substantielle en matière d'efficacité pour les applications industrielles et automobiles de nouvelle génération fonctionnant en 1200 V et 750 V.
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L'adoption du carbure de silicium (SiC) comme matériau de base pour les transistors MOSFET de puissance dans les onduleurs pour véhicules électriques constitue l'une des tendances les plus marquantes de l'électronique de puissance de ces dix dernières années. Les avantages du SiC par rapport au silicium conventionnel sont bien connus : pertes par conduction et par commutation réduites, température de fonctionnement plus élevée et fréquence de fonctionnement plus élevée.
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Toshiba Electronics Europe GmbH (« Toshiba ») annonce le lancement de trois nouveaux MOSFET de puissance à canal N de 40 V : le XPMR5904PB, disponible dès maintenant, et les modèles XPMR7404PB et XPMR8504PB, qui seront bientôt disponibles. Ces composants utilisent le nouveau boîtier SOP Advance (EWF) et sont conçus pour les applications automobiles exigeantes
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Toshiba Electronics Europe GmbH (« Toshiba ») lance le SSM6L826R, un nouveau MOSFET double 30 V intégrant des MOSFET à canal N et à canal P dans un seul boîtier. Ce produit est idéal pour des applications telles que la commande de moteurs monophasés sans balais à courant continu (BLDC)
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ROHM a annoncé que son MOSFET SiC 750 V a été intégré à une unité de secours par batterie (BBU) pour l'alimentation des serveurs d'IA. Face à l'essor de l'IA générative, les systèmes d'alimentation des serveurs d'IA évoluent vers des tensions plus élevées et se tournent rapidement vers les architectures HVDC
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Microchip Technology annonce la disponibilité de ses nouveaux modules de puissance 3,3 kV HV-D3 mSiC®, conçus pour faciliter et accélérer l'adoption des transformateurs à semi-conducteurs (SST) dans les centres de données hyperscale d'IA et autres applications d'alimentation haute tension.
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