Grâce à l'adoption du procédé U-MOS11-H, le TPHR6704RL atteint une résistance à l'état passant (RDS(ON)) typique de 0,52 mΩ à une tension directe (VGS) de 10 V, et une RDS(ON) maximale de 0,67 mΩ à la même tension. Comparée au produit 40 V existant (TPHR8504PL) fabriqué selon le procédé U-MOS IX-H, la RDS(ON) est réduite d'environ 21 %. De plus, les performances de commutation du nouveau composant sont améliorées, avec une charge de grille totale (Qg) typique de 88 nC et une charge de commutation de grille (QSW) de 24 nC, ce qui se traduit par une réduction d'environ 37 % de l'indice de mérite RDS(ON) × Qg, permettant un fonctionnement à faibles pertes.

Le TPHR6704RL aide les concepteurs à réduire les interférences électromagnétiques (IEM) dans les alimentations à découpage en minimisant les pics de tension générés entre le drain et la source lors de la commutation.

Il offre également des performances thermiques et de courant robustes, avec un courant de drain nominal (ID) jusqu'à 420 A et une résistance thermique canal-boîtier de 0,71 °C/W à 25 °C, garantissant un fonctionnement stable même sous forte charge. Ce composant fonctionne sur une large plage de températures, avec une température de canal maximale (Tch) de 175 °C, assurant ainsi un fonctionnement fiable dans les environnements industriels exigeants.

Logé dans un boîtier SOP Advance (N), il offre une compatibilité d'encombrement élevée avec les conceptions SOP Advance existantes, simplifiant le remplacement et les mises à niveau au niveau de la carte.

Pour faciliter la conception d'alimentations efficaces, Toshiba propose une suite complète d'outils de conception de circuits. Outre le modèle SPICE G0 pour une vérification fonctionnelle rapide, des modèles SPICE G2 haute précision sont disponibles pour reproduire fidèlement les caractéristiques transitoires et de commutation, aidant ainsi les concepteurs à optimiser l'efficacité, les interférences électromagnétiques (IEM) et les performances thermiques.

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