La tension de blocage élevée permet aux ingénieurs en électronique de puissance de remplacer les MOSFET en silicium conventionnels par les nouveaux MOSFET SiC, offrant un rendement supérieur, un circuit de commande simplifié et une dissipation thermique réduite, ce qui diminue le coût global du système.
Le nouveau boîtier CMS est spécialement conçu pour les MOSFET SiC haute tension ; il occupe une surface réduite et présente une distance de fuite drain-source généreuse de 7 mm. Ceci est rendu possible par la petite taille du semi-conducteur et la haute capacité de blocage de la technologie planaire MOSFET SiC Wolfspeed™. Le nouveau boîtier comprend également une broche connectée à la source du MOSFET, ce qui contribue à réduire le bruit de grille et à fournir des signaux plus propres.
« Notre nouveau MOSFET SiC 1 700 V offre aux ingénieurs en électronique de puissance des avantages de conception significatifs pour les topologies flyback », explique Edgar Ayerbe, responsable marketing MOSFET de puissance chez Wolfspeed. Grâce aux faibles pertes de commutation du carbure de silicium, ces dispositifs fonctionnent à des températures bien plus basses au sein du semi-conducteur. Les clients peuvent ainsi les monter directement sur le circuit imprimé sans dissipateur thermique supplémentaire. Ceci réduit les coûts de fabrication et améliore la fiabilité du système. Il en résulte une alimentation plus compacte et plus légère, pour un coût système inférieur à celui des alimentations utilisant des composants en silicium conventionnels.
Le nouveau MOSFET SiC 1700 V est principalement destiné aux alimentations auxiliaires des onduleurs haute puissance, tels que les onduleurs solaires, les convertisseurs de fréquence pour moteurs, les systèmes d'alimentation sans coupure (UPS), les convertisseurs de puissance pour éoliennes et les systèmes de traction. Ces systèmes nécessitent généralement la conversion de la tension du bus en une basse tension continue pour alimenter la logique système, les circuits de protection, les afficheurs, l'interface réseau et les ventilateurs. Il peut également être utilisé dans les alimentations des compteurs d'électricité triphasés ou dans toute application exigeant une tension de blocage élevée et une faible capacité.
Le nouveau MOSFET SiC 1700 V, désigné C2M1000170J, présente une capacité d'avalanche supérieure à 1800 V et une résistance Rdson de 1 Ω. Ces caractéristiques garantissent un fonctionnement fiable des convertisseurs flyback, même dans les environnements électromagnétiquement perturbés tels que les onduleurs de forte puissance. Le MOSFET SiC 1700 V simplifie la conception des topologies flyback grâce à une simple commutation de tension d'entrée de 200 V à 1000 V, réduisant ainsi la complexité de la commande et permettant de réduire, voire d'éliminer, le nombre de condensateurs d'amortissement nécessaires dans les composants en silicium.
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