Ces transistors conviennent à une large gamme d'applications exigeantes, telles que les serveurs de centres de données, les alimentations à découpage (SMPS) pour équipements industriels et les conditionneurs de puissance pour générateurs photovoltaïques (PV).
La série DTMOS VI 600 V, présente dans ces nouveaux produits, bénéficie d'une conception et d'un processus de fabrication optimisés au niveau de la grille. Cette optimisation a permis de réduire la résistance drain-source (RDS(ON)) d'environ 13 % par unité de surface. De plus, le facteur de mérite (FOM) crucial pour les performances des MOSFET, RDS(ON) × charge grille-drain (Qgd), a été réduit d'environ 52 % par rapport aux produits de la génération précédente de la série DTMOS IV-H de Toshiba, présentant la même tension drain-source (VDS) de 600 V. Par exemple, le TK024Z60Z1 possède une RDS(ON) de 20 mΩ et une Qgd de 37 nC. Il en résulte un meilleur équilibre entre les pertes par conduction et les pertes par commutation, contribuant directement au rendement élevé des alimentations à découpage.
Les nouveaux produits intègrent un boîtier TO-247-4L(X) à quatre broches, doté d'une borne de source de signal dédiée à la commande de grille. Cette amélioration de conception réduit considérablement l'impact de la commutation dû à l'inductance de la source au sein du boîtier, un problème courant dans les boîtiers à trois broches classiques. Dans ces derniers, l'inductance de la source génère une force contre-électromotrice (FEM) qui réduit la tension de commande de grille effective, ralentissant ainsi la vitesse de commutation du MOSFET. À l'inverse, le boîtier à quatre broches connecte la borne de source de signal au plus près de la puce FET, atténuant cet effet et permettant à la tension appliquée entre la grille et la source d'être approximativement égale à la tension de commande de grille. Cette amélioration accroît la vitesse de commutation et optimise les performances de commutation à haute vitesse, contribuant au rendement élevé requis pour des applications telles que les serveurs, les alimentations sans interruption (ASI) et les onduleurs photovoltaïques. Il est important de noter que le boîtier TO-247-4L(X) présente une apparence et des dimensions différentes du boîtier TO-247-4L à quatre broches existant de Toshiba. En effet, il comporte une cavité entre les broches de drain et de source afin d'augmenter la distance de fuite.
Toshiba continue d'accompagner les concepteurs de circuits en proposant une gamme d'outils, notamment le modèle SPICE G0 pour une vérification rapide du fonctionnement des circuits et les modèles SPICE G2 haute précision qui reproduisent fidèlement les caractéristiques transitoires.
Toshiba s'engage à développer davantage sa gamme de produits DTMOSVI 600 V, contribuant ainsi à l'amélioration continue de l'efficacité énergétique des équipements électroniques.
