mc1202-mémoire-wConception de cellule à grille divisée et injecteur tunnel avec une couche d'oxyde épaisse pour une fiabilité et une facilité de fabrication accrues. Ce dispositif est conforme au brochage JEDEC pour la mémoire x16.

Avec une plage de tension de fonctionnement de 2,7 à 3,6 V, des temps de lecture et de programmation rapides et des fonctions de protection avancées, cette mémoire Flash à accès parallèle excelle dans une large gamme d'applications. La mémoire est partitionnée en blocs uniformes de 32 Ko et en
blocs non uniformes de 8 Ko, offrant des options d'effacement flexibles et un partitionnement complet pour le code de programme et les données.

La mémoire Flash à accès parallèle SST38VF6401B offre des performances élevées et une grande flexibilité en lecture/écriture, avec notamment un temps d'accès en lecture aléatoire de 70 ns, un temps d'accès en lecture de page de 25 ns, des temps d'effacement de secteur et de bloc jusqu'à 18 ms, un temps d'effacement complet de la puce Flash de 40 ms, un temps de programmation de mot de 7 µs et un temps de programmation du tampon d'écriture de 1,75 µs (typique). Ce composant offre une fiabilité exceptionnelle avec une durée de vie typique de 100 000 cycles et une conservation des données supérieure à 100 ans. Le courant de lecture actif est de seulement 25 mA (typique) à 5 MHz et le courant de veille de seulement 5 µA (typique). La SST38VF6401B propose également différents niveaux de protection et des fonctions de sécurité avancées, telles que Security-ID, la protection matérielle du bloc de démarrage, la protection individuelle des blocs, la protection par mot de passe et le verrouillage irréversible des blocs.
Ce composant excelle dans une large gamme d'applications, notamment grand public, automobiles et industrielles. Parmi les applications pour utilisateurs finaux, on peut citer les décodeurs, les imprimantes multifonctions et les téléviseurs numériques, ainsi que les systèmes audio, vidéo et d'infodivertissement embarqués. De plus, ce dispositif de mémoire Flash à accès parallèle est parfaitement adapté aux applications de réseau et industrielles, telles que les passerelles, les commutateurs et les équipements de contrôle industriel.

Les dispositifs SST38VF6401B sont désormais disponibles pour l'échantillonnage et la production en série et sont fournis dans des boîtiers TSSOP à 48 broches et TFBGA à 48 billes.

Pour plus d'informations ou un devis