Cette famille fonctionne avec des courants de 4 A à 20 A en configuration simple et avec des courants de 16 A à 40 A en configuration double.
Technologie SiC :
Les diodes Schottky à large bande à base de SiC sont conçues pour les convertisseurs AC/DC et DC/DC hautes performances, notamment pour la correction du facteur de puissance (PFC) et le redressement de sortie dans les applications DC/DC à très haute fréquence. La diode SiC représente une avancée majeure en matière d'efficacité des convertisseurs, améliorant la densité de puissance et la fiabilité. Les pertes de commutation de l'interrupteur actif sont réduites, minimisant ainsi les contraintes à l'amorçage. Une fréquence de commutation et une densité de puissance accrues peuvent être obtenues sans problème de refroidissement.
Avantages de la technologie SiC de Vishay
: • Pertes de récupération inverse quasi nulles, indépendantes de la température et des conditions de fonctionnement.
• Commutation purement capacitive, sans pertes au sein de la diode.
• Courant de crête élevé.
• Rapport courant direct/capacité élevé.
• Faible courant de fuite à haute température.
• Faibles pertes induites dans l'interrupteur actif.
• Compatibilité électromagnétique (EMI) améliorée.
Gamme de diodes SiC de Vishay :
La gamme de diodes SiC de Vishay couvre les intensités nominales les plus courantes, des plus faibles aux plus élevées. Tous les composants présentent une tension de claquage de 650 V et une température de jonction maximale (Tj) de 175 °C. Les boîtiers disponibles sont des configurations à diode unique 2L TO-220AC ou à double cathode commune 3L TO-247AD.
