Les nouveaux MOSFET TK090E65Z, TK110E65Z, TK155E65Z et TK190E65Z présentent une réduction de 40 % du facteur de mérite (FoM) de la résistance drain-source (RDSON)multipliée par la charge drain-grille (Qgd)par rapport à la génération précédente de DTMOS. Ceci se traduit par une réduction substantielle des pertes de commutation. Par conséquent, les circuits intégrant ces nouveaux composants bénéficieront d'une efficacité accrue. Cette amélioration des performances s'appliquera aussi bien aux nouveaux circuits qu'aux mises à niveau des circuits existants.
 
Ces quatre nouveaux dispositifs offrent une tension drain-source (V<sub>DSS</sub>) de 650 V et un courant de drain (I<sub>D) pouvant atteindre 30 A. La résistance à l'état passant drain-source (R<sub>DSON</sub>) est de seulement 0,09 Ω et la charge drain-grille (Q<sub>gd</sub>) peut descendre jusqu'à 7,1 nC, permettant un fonctionnement à faibles pertes à haute vitesse. Tous les dispositifs sont conditionnés en boîtier traversant TO-220, standard de l'industrie.
 
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