La nouvelle gamme propose des capacités de 1 Gbit, 2 Gbit et 4 Gbit et est disponible en boîtiers SOP (10,3 mm x 7,5 mm) ou WSON (6,0 mm x 8,0 mm). Chaque combinaison capacité/composant est disponible avec une tension d'entrée de 1,8 V ou de 3,3 V.
Fonctions de lecture séquentielle à haute vitesse, code de correction d'erreurs (ECC) intégré avec fonction de signalement des inversions de bits et fonctions de protection des données intégrées qui garantissent un accès rapide aux données tout en assurant leur stockage sécurisé.
L'interface SPI (Serial Peripheral Interface) permet de contrôler des périphériques à l'aide de seulement six broches, offrant ainsi aux utilisateurs un accès à la mémoire flash NAND SLC, caractérisée par un faible nombre de broches, un format compact et une capacité élevée. La mémoire NAND SPI présente un coût par bit bien inférieur aux solutions de mémoire flash NOR traditionnellement utilisées dans les applications embarquées.
Pour permettre aux systèmes embarqués de répondre aux exigences fonctionnelles croissantes des clients, la demande en mémoire à haute densité s'accroît. Cette demande entraîne une augmentation du stockage des logiciels (programmes de démarrage, microprogrammes et systèmes d'exploitation embarqués) et des données (y compris les données des registres), incitant les concepteurs de produits à privilégier de plus en plus la mémoire flash NAND SLC pour sa haute densité et sa fiabilité.
Avec une plage de températures de fonctionnement de -40 °C à +85 °C, ces dispositifs conviennent à la grande majorité des applications grand public et industrielles. Les envois d'échantillons des dispositifs WSON et SOP débutent ce mois-ci, tandis que la production en série est prévue pour décembre 2015. Des produits en boîtier BGA sont également en cours de développement.
