Les RET permettent un gain de place et une réduction des coûts de fabrication grâce à l'intégration de la résistance de polarisation et de la résistance de polarisation d'émetteur dans un même boîtier SOT23 (250 mW Ptot) ou SOT323 (235 mW Ptot) que le transistor. Des RET doubles (deux transistors et deux résistances de polarisation, l'une de polarisation et l'autre de polarisation d'émetteur) sont également disponibles en boîtier SOT363 avec une Ptot de 350 mW pour une intégration et des économies encore plus importantes.
La nouvelle série (NHDTx et NHUMx) comprend 42 composants combinant transistors PNP et NPN. Ces composants sont dotés des mêmes combinaisons de résistances de polarisation que les composants 50 V de Nexperia. Ils supportent un courant de 100 mA et sont conformes à la norme AEC-Q101.
Frank Matschullat, chef de produit chez Nexperia, déclare : « Les ingénieurs concepteurs travaillant sur de nouvelles applications pour véhicules électriques peuvent pérenniser leurs systèmes en toute confiance grâce aux nouveaux RET de Nexperia. Ces dispositifs simplifient la conception des circuits, optimisent l’espace sur les cartes électroniques, réduisent le temps de placement et améliorent la fiabilité. Outre les applications de commande de circuits automobiles 48 V, les systèmes de commutation et d’amplification à usage général, ainsi que d’autres systèmes numériques, bénéficieront de ces nouveaux composants haute tension. ».
Les RET 80V en SOT23, SOT323 et SOT363 sont désormais disponibles.
