Ces modules SPI économiques de 512 Ko et 1 Mb conservent la faible consommation et le format compact à 8 broches qui caractérisent les produits de la société. Des vitesses allant jusqu'à 80 Mbit/s ont été atteintes grâce aux protocoles quad-SPI ou SQI™, garantissant un temps de cycle d'écriture nul et un transfert de données quasi instantané, essentiel pour les applications de traitement de données à haut volume telles que le téléchargement de graphiques, la mise en mémoire tampon, l'enregistrement de données, l'affichage, les calculs mathématiques, ainsi que le traitement audio et vidéo.
Deux autres membres de la famille, les 23LCV512 et 23LCV1024, offrent les solutions de mémoire vive non volatile (NVSRAM) les plus économiques du marché, garantissant une autonomie illimitée et un coût nettement inférieur à celui de toute autre NVSRAM. Grâce à leurs deux ports SPI (SDI) rapides à 40 Mbit/s et à leurs faibles courants en fonctionnement et en veille, ces modules NVSRAM série offrent une vitesse élevée sans le grand nombre de broches des NVSRAM parallèles, et avec une consommation d'énergie comparable à celle de la FRAM, pour un prix bien plus abordable. Ceci est particulièrement avantageux pour les applications telles que les compteurs, les boîtes noires et autres enregistreurs de données nécessitant une écriture illimitée ou instantanée et un stockage non volatil.
Ces nouvelles SRAM de 1 Mbit permettent aux concepteurs de systèmes embarqués d'offrir davantage de mémoire vive à un coût bien inférieur à celui d'un microcontrôleur ou d'un processeur plus puissant. Elles présentent également une consommation d'énergie réduite, un nombre de broches inférieur et un coût moindre que les SRAM parallèles. L'intégration d'une interface SPI leur permet de s'adapter à la tendance actuelle des interfaces série. Le marché des EEPROM a déjà adopté les interfaces série, tandis que celui des mémoires Flash effectue rapidement cette transition en raison du coût plus élevé, de l'encombrement plus important et de la consommation d'énergie supérieure des dispositifs parallèles.
Les six composants de cette nouvelle famille de SRAM série sont disponibles en boîtiers SOIC 8 broches, TSSOP et PDIP, avec des capacités de 512 kbits et 1 Mbit. Les quatre dispositifs volatils, 23A512, 23LC512, 23A1024 et 23LC1024, sont déjà disponibles en quantités d'échantillonnage et de production, tandis que les deux dispositifs non volatils, 23LCV512 et 23LCV1024, devraient être disponibles pour l'échantillonnage et la production en volume en octobre.
