Les modules EE-SX3173 et EE-SX4173 se fixent solidement au circuit imprimé à l'aide de vis M3. Une diode Zener optionnelle est également disponible pour améliorer l'immunité au bruit. Les connecteurs des modules sont maintenus en place par un loquet de sécurité afin d'éviter tout débranchement intempestif, même en cas de fortes vibrations.
MOSFET de puissance à canal N 40 V en boîtier L-TOGLTM
Toshiba Electronics Europe GmbH (« Toshiba ») a lancé deux nouveaux MOSFET de puissance à canal N de 40 V destinés à l’automobile, qui auront un impact significatif sur la conception des véhicules de nouvelle génération. Les modèles XPQR3004PB et XPQ1R004PB utilisent un format de boîtier innovant pour transistors de grande taille….

