Le nouveau transistor IGBT GT20N135SRA présente une tension de saturation collecteur-émetteur (VCE(sat)) de 1,60 V (typique) et une tension directe de diode (VF) de 1,75 V, soit des réductions d'environ 10 % et 21 % respectivement par rapport aux produits conventionnels. Grâce à la réduction des pertes par conduction à haute température (TC = 100 °C) de l'IGBT et de la diode, le dispositif fonctionne avec un rendement accru.
De plus, sa meilleure résistance thermique maximale entre la jonction et l'encapsulation (Rth(jc)) de 0,48℃/W facilite la conception thermique car elle nécessite moins de dissipation de chaleur, ce qui représente une réduction d'environ 26 % par rapport aux produits existants.
Le nouveau GT20N135SRA peut supprimer le courant de court-circuit grâce à un condensateur résonant généré lors de sa connexion. Le courant de court-circuit maximal de ce nouveau produit est de 129 A, soit près d'un tiers de moins que les produits existants. La zone de fonctionnement sécuritaire (SOA) est plus étendue, ce qui réduit le risque de défaillance de l'IGBT et offre ainsi aux concepteurs une plus grande flexibilité.
Le dispositif, fourni dans un boîtier standard TO-247, est capable de gérer un courant de collecteur maximal (IC) de 40 A, qui tombe à 20 A à 100 ℃.
