Il primo prodotto ad alta tensione su questa nuova piattaforma è il MOSFET AOS AOTL037V60DE2 da 600 V, progettato per soddisfare la crescente domanda di alta efficienza e alta densità di potenza in una vasta gamma di applicazioni, tra cui server, workstation, raddrizzatori per telecomunicazioni, inverter solari, controllori per motori e sistemi di alimentazione industriali.
Le sfide progettuali degli alimentatori switching (SMPS) di media e alta potenza e dei sistemi di inverter solari possono essere riassunte in quattro requisiti chiave: maggiore efficienza, maggiore densità di potenza, costi totali di sistema inferiori e robustezza senza compromessi. Per soddisfare queste aspettative, i MOSFET a supergiunzione ad alta tensione sono diventati i dispositivi preferiti per le topologie critiche, tra cui il ramo lento degli alimentatori totem-pole (PFC), i convertitori LLC risonanti, i circuiti di correzione del fattore di potenza (PFCB) e i cicloconvertitori.
AOS ha sviluppato la sua piattaforma avanzata di MOSFET Super Junction ad Alta Tensione αMOS E2™ con un diodo di corpo intrinsecamente robusto, in grado di gestire in modo affidabile scenari di commutazione difficili, come il recupero inverso del diodo di corpo libero che può verificarsi durante eventi anomali come cortocircuiti o transitori di avvio. L'AOTL037V60DE2, disponibile in un package TOLL, presenta una RDS(ON) massima di 37 milliohm. Nelle valutazioni condotte dal team di ingegneria applicativa di AOS, la robustezza del diodo di corpo in questo MOSFET αMOS E2™ ha dimostrato la capacità di resistere a di/dt = 1300 A/µs in specifiche condizioni di corrente diretta (IF) a una temperatura di giunzione di 150 °C. Inoltre, i test AOS hanno confermato che l'AOTL037V60DE2 offre una capacità di commutazione induttiva a valanga non bloccata (UIS) superiore e un tempo di mantenimento del cortocircuito (SCWT) più lungo rispetto ai MOSFET della concorrenza. Questa maggiore robustezza si traduce in una maggiore affidabilità a livello di sistema, garantendo prestazioni solide anche in condizioni operative anomale.
“Abbiamo progettato questa piattaforma e il primo MOSFET ad alta tensione per soddisfare le esigenze degli alimentatori CA/CC tradizionali, nonché dei convertitori CC/CC e degli inverter CC/CA, dove il raggiungimento di un'elevata densità di potenza ed efficienza rimane una sfida cruciale. Grazie alla vasta esperienza di AOS nell'ingegneria dei MOSFET, sappiamo che le capacità innovative della piattaforma αMOS E2™ High-Voltage Super Junction MOSFET e dell'AOTL037V60DE2 rispondono a queste sfide, consentendo ai progettisti di applicazioni di media e alta potenza, inverter solari e convertitori CC/CC di soddisfare efficacemente le esigenze attuali e future in termini di efficienza energetica, durata e riduzione dei costi”, ha affermato Simon Yu, Senior Product Line Manager di AOS.
Caratteristiche tecniche principali:
Ottimizzato per topologie a commutazione dolce con perdite di commutazione eccezionalmente basse.
Diodo di corpo robusto con Qrr ridotto per applicazioni impegnative e ad alto stress.
Maggiore robustezza con elevata resistenza all'ingresso di corrente (UIS), gestione della corrente di spunto e ampie capacità SOA.
Progettato per prevenire l'autoaccensione, garantendo un funzionamento affidabile in condizioni dinamiche.
Adatto per applicazioni Totem Pole PFC, LLC, PSFB e CrCM H-4/Ciclo inverter.
Disponibilità e prezzi:
Il modello AOTL037V60DE2 (600V 37mΩ TOLL) è disponibile in quantità di produzione con un tempo di consegna di 16 settimane. Il prezzo unitario per ordini di 1.000 pezzi è di 5,58 dollari.
