Le applicazioni che sfruttano la tecnologia SiC spaziano dai veicoli elettrici e dalle stazioni di ricarica alle reti intelligenti e ai sistemi di alimentazione per l'industria e l'aviazione. Microchip Technology Inc. ha annunciato l'ampliamento del suo portafoglio di moduli di potenza SiC . Insieme alla sua vasta gamma di microcontrollori e prodotti analogici, Microchip soddisfa le esigenze di controllo, azionamento e alimentazione dei sistemi ad alta potenza e fornisce anche soluzioni di sistema complete ai suoi clienti.
La famiglia SiC di Microchip comprende moduli di potenza basati su diodi a barriera Schottky (SBD) disponibili nelle versioni da 700 V, 1200 V e 1700 V. Questa nuova famiglia di moduli di potenza include diverse topologie, come doppio diodo, ponte intero, ramo di fase, doppio catodo comune e ponte trifase, oltre a diverse opzioni di corrente e package. L'integrazione dei moduli SiC SBD semplifica la progettazione grazie all'integrazione di più diodi SiC con la possibilità di combinare e adattare il substrato e il materiale della scheda madre in un unico modulo, massimizzando la frequenza di commutazione, generando meno calore e consentendo un ingombro di sistema ridotto.
“L’adozione e l’espansione della tecnologia SiC stanno guidando l’innovazione nei sistemi odierni e Microchip è in prima linea, collaborando con i clienti in tutti i segmenti e le aree geografiche”, ha affermato Leon Gross, vicepresidente della business unit Discrete Products Group di Microchip. “Il nostro obiettivo rimane quello di fornire soluzioni affidabili e innovative. Dalla definizione del prodotto al lancio, la nostra tecnologia SiC offre livelli superiori di affidabilità e robustezza, aiutando i progettisti di sistemi di alimentazione a garantire una lunga durata operativa per le loro applicazioni senza degrado delle prestazioni”.
Il portfolio flessibile di moduli SBD SiC da 700, 1200 e 1700 V utilizza l’ultima generazione di SiC di Microchip, massimizzando l’affidabilità e la robustezza del sistema e consentendo al contempo una durata operativa stabile e prolungata per l’applicazione. Le elevate prestazioni in valanga dei dispositivi significano che i progettisti di sistemi necessitano di un minor numero di circuiti snubber e la stabilità del diodo strutturale consente ai progetti di utilizzare il diodo interno senza degrado a lungo termine.
I test condotti da Microchip e da terze parti, insieme a stime critiche di affidabilità, hanno dimostrato che le prestazioni dei dispositivi Microchip sono superiori rispetto a quelle di altri dispositivi SiC.
Strumenti di sviluppo
I progetti di riferimento e le schede perla correzione del fattore di potenza trifase Vienna da 30 kW, i moduli discreti in SiC e i moduli SP3/SP6LI offrono agli sviluppatori di sistemi gli strumenti necessari per ridurre i tempi di sviluppo.
Disponibilità:
I moduli di potenza SiC SBD da 700, 1200 e 1700 V sono ora disponibili per l'ordine. L'intero catalogo SiC è supportato da modelli SPICE SiC, progetti di riferimento per schede di controllo SiC e un progetto di riferimento Vienna per la correzione del fattore di potenza. I prodotti SiC di Microchip sono disponibili in produzione insieme ai relativi prodotti di supporto. MOSFET e diodi SiC sono offerti in vari formati di chip e package.
