ROHM ha sviluppato un dispositivo di oscillazione a terahertz (THz) di seconda generazione che utilizza elementi a semiconduttore noti come diodi a tunnel risonanti (RTD). ROHM rende disponibile questo dispositivo tramite il kit di valutazione per dispositivi a terahertz RTD-EVK-G2, che include un dispositivo di esempio, un cavo e una scheda di valutazione.
Siemens, in collaborazione con l'Arizona State University (ASU), ha annunciato un nuovo programma di microcredenziali online sulla progettazione di circuiti stampati (PCB) — "Fondamenti di progettazione PCB: dalla scoperta alla produzione" — che offre agli studenti un percorso diretto per acquisire una serie di competenze molto richieste nel settore dell'elettronica.
Renesas Electronics Corporation ha annunciato le sue soluzioni di chipset di terza generazione (Gen 3) per moduli di memoria DDR5 Multiplexed Rank Dual In-Line (MRDIMM), che offrono velocità DDR5 MRDIMM di classe server fino a 16.000 megatransfer al secondo (MT/s). Le nuove soluzioni sono progettate per soddisfare la crescente domanda di maggiore larghezza di banda della memoria, trainata dai data center per l'intelligenza artificiale (IA), dalle infrastrutture cloud e dai carichi di lavoro di calcolo accelerati.
Con la crescita delle dimensioni dei modelli di intelligenza artificiale e l'aumento dei carichi di lavoro che richiedono volumi di dati sempre maggiori, gli architetti di sistema si trovano ad affrontare sfide crescenti nel fornire una maggiore larghezza di banda della memoria senza sacrificare la compatibilità con le piattaforme server esistenti. Le soluzioni MRDIMM di terza generazione di Renesas offrono una larghezza di banda della memoria superiore del 25% rispetto alle soluzioni di seconda generazione, pur continuando a utilizzare l'infrastruttura DDR5 esistente. Di conseguenza, le piattaforme server possono raggiungere prestazioni superiori senza modifiche architetturali radicali.
Renesas continua a offrire una piattaforma MRDIMM collaudata sul campo e pronta per la produzione, che comprende MRCD, MDB, circuiti integrati per la gestione dell'alimentazione (PMIC), concentratori di rilevamento di presenza seriali (SPD) e sensori di temperatura. Questo approccio basato su piattaforma consente ai clienti di scalare le prestazioni degli MRDIMM attraverso le generazioni, mantenendo la continuità del design e accelerando l'implementazione.
MRDIMM Gen 3 si basa sulla collaudata architettura MRDIMM introdotta con la Gen 2, ampliandone le prestazioni pur mantenendo i fattori di forma DIMM standard e la compatibilità di sistema. La Gen 3 introduce anche miglioramenti in termini di visibilità e robustezza del sistema, tra cui un indicatore di stato di qualità per la modalità di autoapprendimento dell'equalizzazione del dispositivo (DESTM), che consente agli utenti di ottimizzare la temporizzazione del ricevitore e l'addestramento dell'equalizzatore per massimizzare il margine di sicurezza.
Oltre ai miglioramenti prestazionali, le soluzioni MRDIMM di terza generazione di Renesas sono state progettate pensando all'efficienza energetica a livello di sistema, aiutando i clienti a bilanciare i crescenti requisiti di larghezza di banda con i vincoli termici e di consumo energetico a livello di sistema. Confronti dettagliati sui consumi energetici saranno forniti nella documentazione del prodotto allegata.
“AMD vanta una lunga storia di supporto a tecnologie aperte e basate su standard che promuovono l'innovazione nei data center e offrono maggiore flessibilità man mano che i carichi di lavoro di IA e HPC continuano a evolversi”, ha affermato Amit Goel, vicepresidente aziendale di Enterprise AI and Compute Platform Solutions Engineering presso AMD. “Le innovazioni nei formati di memoria di nuova generazione, come MRDIMM e il chipset Renesas, sono importanti per aiutare il settore a fornire maggiore larghezza di banda, maggiore efficienza e scalabilità continua della piattaforma”.
“I carichi di lavoro di training e inferenza di IA stanno ridefinendo radicalmente i requisiti di memoria di sistema per l'infrastruttura dei data center”, ha dichiarato Sameer Kuppahalli, vicepresidente e direttore generale della divisione Memory Interfaces di Renesas. “Per soddisfare le insaziabili esigenze di questi carichi di lavoro in termini di capacità e prestazioni della memoria, Renesas continua a essere leader del settore con il lancio della nostra terza generazione di componenti chipset per MRDIMM”. I nostri clienti utilizzano l'intera suite di componenti chipset Renesas per continuare a spingere i limiti delle prestazioni e della capacità della memoria”.
Mouser Electronics, Inc. ha ora in magazzino l'unità di misura inerziale (IMU) a 6 assi STMicroelectronics ASM330LHHG1. Il sensore ASM330LHHG1 è dotato di un giroscopio digitale a 3 assi e di un accelerometro digitale a 3 assi e funziona in un ampio intervallo di temperatura da -40 a +125 °C.
GigaDevice ha annunciato il lancio della sua nuova serie GD24CL di memorie EEPROM I²C. Questa nuova famiglia offre prestazioni eccezionali, meccanismi di protezione di sicurezza completi ed eccellente affidabilità, soddisfacendo i rigorosi requisiti per la memorizzazione stabile e a lungo termine di dati di configurazione critici.
Toshiba Electronics Europe GmbH (“Toshiba”) presenta i modelli TDS5B212MX e TDS5C212MX, switch multiplexer (MUX) e demultiplexer (DEMUX) di segnale differenziale ad alta velocità. Adatti per server, apparecchiature di test industriali, robot e applicazioni correlate, i nuovi prodotti supportano interfacce ad alta velocità come PCIe® 6.0 e USB4® versione 2.0.
Poiché gli enti regolatori e i produttori di semiconduttori di tutto il mondo si concentrano sempre più sulla riduzione delle sostanze perfluoroalchiliche e polifluoroalchiliche (PFAS) a causa dei loro potenziali effetti sulla salute umana e sull'ambiente, Trelleborg aggiunge tre nuovi materiali privi di tensioattivi fluorurati* alla sua ampia gamma di materiali PureFab®.
L'implementazione dell'inferenza basata sull'intelligenza artificiale in ambienti a basso consumo energetico e in sistemi critici come quelli aerospaziali e di difesa richiede soluzioni che bilancino prestazioni, efficienza, affidabilità e facilità di sviluppo.
ROHM ha sviluppato una nuova gamma di MOSFET superconnettori da 600 V, le serie R60xxXNx e R60xxWNx. Nei settori dei data center e delle apparecchiature industriali, la domanda di energia continua ad aumentare con l'incremento dei carichi di elaborazione, generando una forte richiesta di alimentatori più efficienti per ridurre sia il consumo energetico che la produzione di calore.
Allegro MicroSystems, Inc. ha presentato l'A81415, il primo circuito integrato per la gestione dell'alimentazione (PMIC) certificato ASIL-D del settore, che integra un'interfaccia per i sensori di velocità delle ruote. Il nuovo dispositivo offre ai progettisti di sistemi di frenatura elettromeccanica (EMB) una base di alimentazione e rilevamento notevolmente semplificata e integrata in un unico chip per i sistemi brake-by-wire di nuova generazione.
Toshiba Electronics Europe GmbH (“Toshiba”) ha presentato il TPM1R408RH, un MOSFET di potenza a canale N da 80 V basato sulla più recente tecnologia di processo U-MOS11-H dell'azienda. Progettato per alimentatori switching industriali ad alta efficienza per apparecchiature di data center e stazioni base di comunicazione,
I componenti a semiconduttore sono gli eroi silenziosi delle missioni spaziali, garantendo affidabilità e prestazioni nell'ambiente estremo dello spazio. Negli ultimi 60 anni, Microchip ha svolto un ruolo fondamentale in oltre 100 missioni spaziali, contribuendo al successo di alcune delle tappe più storiche dell'esplorazione spaziale. Dalla prima missione spaziale americana di successo nel 1958 alle missioni Artemis in corso, questi componenti hanno costantemente dimostrato il loro valore.
Silanna Semiconductor ha annunciato che i suoi circuiti integrati (IC) FirePower™ per sistemi di attivazione laser, progettati per applicazioni LiDAR e telemetri più piccole ed efficienti, sono ora disponibili in volumi di produzione.
Questi dispositivi sono stati sviluppati per ridurre significativamente il consumo energetico...
Nexperia ha annunciato l'aggiunta di due diodi Schottky al carburo di silicio (SiC) da 1200 V e 20 A al suo portafoglio in continua espansione di componenti elettronici di potenza. I modelli PSC20120J e PSC20120L sono stati progettati per soddisfare la domanda di raddrizzatori con perdite...
La domanda di dispositivi di potenza è in costante aumento, trainata dalla spinta di settori caratterizzati da importanti innovazioni come la mobilità elettrica, le energie rinnovabili e i data center. Le applicazioni di potenza odierne presentano requisiti sempre più stringenti...
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