I transistor di potenza RF ART1K6FH e ART2K0FE di Ampleon, disponibili presso Mouser, si basano sulla tecnologia Advanced Robust Technology (ART). I nuovi nodi LDMOS al silicio della serie ART sono progettati per ottenere un'elevata tensione di rottura drain-source mantenendo una bassa capacità di uscita, risultando in transistor robusti con elevata transconduttanza nell'intervallo di frequenza da HF a UHF. I transistor di potenza ART1K6FH da 1600 W offrono un intervallo di frequenza da 1 a 425 MHz, mentre gli ineguagliabili transistor di potenza ART2K0FE da 2000 W offrono un intervallo di frequenza da 1 a 400 MHz. Questi dispositivi coprono un'ampia gamma di applicazioni ISM, broadcast e di comunicazione, offrendo alta efficienza ed eccellente stabilità/robustezza termica senza degrado del dispositivo. Entrambi i dispositivi sono disponibili nei package ceramici a cavità d'aria SOT539AN, SOT539BN e SOT1248C.

I transistor di potenza LDMOS BLF981 e BLF981S sono progettati per applicazioni broadcast, industriali, avioniche, non cellulari e ISM (industriali, scientifiche e mediche). La loro eccellente robustezza li rende ideali per applicazioni di trasmettitori digitali e analogici nella gamma di frequenza da HF a 1400 MHz. Il BLF981 è alloggiato in un package SOT467C, mentre il BLF981S è integrato in un package SOT467B, entrambi in grado di offrire una gestione termica stabile e un'elevata affidabilità a lungo termine.

Il transistor HEMT GaN-SiC CLP24H4S30P è un transistor di potenza ad alta efficienza da 30 W progettato per applicazioni a onda continua (CW) nella gamma di frequenza 2400-2500 MHz. Ideale per sistemi di cottura industriali, scientifici, medici e di consumo, l'Ampleon CLP24H4S30P offre eccellenti prestazioni di potenza e stabilità termica. Alloggiato in un compatto package DFN per montaggio superficiale da 7 x 7 mm, il CLP24H4S30P è ideale per la progettazione di amplificatori RF compatti ad alta potenza.

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